本デバイスは複合型 Si-PIN 構造を採用した高速・高感度フォトダイオードです。高応答特性を実現するため、背面エッチングにより I 層を薄膜化し、キャリア通過時に光電流が発生します。遅延キャリアは短絡され、高速応答を確保しています。特許取得済みの「Bullet デザイン」パッケージには、異なる波長に最適化された 2 種類のチップを採用しています。

Circle チップはピーク応答波長 950 nm で、1060 nm 付近でも高感度を示します。

Square チップはピーク応答波長 900 nm で、450～650 nm 帯域で高感度を発揮します。デバイスはアクティブエリア径に対応した任意サイズの光ファイバとピグテール接続可能で、ファイバコア径は 3 µm ～ 100 µm、標準長さは 1 m です。接続コネクタは ST、FC、SC、LC に対応し、PC または APC 研磨が選択可能です。

Tsub = 25°C、特に記載のない限り CW バイアスにて測定Circle チップ

備考（Note）：飽和光パワー ≤ 0.3 W/cm²

Square チップ

備考（Note）：飽和光パワー ≤ 0.3 W/cm²

典型特性曲線

Responsivity, R (A/W)

 Circle chip Wavelength, λ (nm)

 Responsivity, R (A/W)

Square chip Wavelength, λ (nm)

静電容量-電圧特性曲線

capacitance

                                                                                                                                                                                                   Voltage（V）

応用回路