Ge 大面積フォトディテクタ:800〜1800 nm、Ge、バイアス型、従来型     


当社の <10GHz フォトディテクタには、光電効果を利用して光パワーを電流に変換する PIN フォトダイオードが内蔵されています。オシロスコープに 50Ω 抵抗で終端すると、レーザーのパルス幅を測定できます。スペクトラムアナライザに 50Ω 抵抗で終端すると、レーザーの周波数応答を測定できます。
EOT の <10GHz フォトディテクタには、長寿命リチウム電池からなる内部バイアス電源が組み込まれています。フォトディテクタの BNC 出力コネクタに同軸ケーブルを接続し、オシロスコープまたはスペクトラムアナライザで 50Ω 終端するだけで動作可能です。




製品 モデル


名称 モデル 価額
Ge 大面積フォトディテクタ:800~1800nm、Ge、バイアス付き、従来型   [PDF]  [RFQ]

DET30B2(DP)
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パラメータ


特長

● 800nmから1800nmのスペクトル応答範囲を持つGe検出器、近赤外(NIR)光測定によく使用されます。
● バイアス型検出器、極めて低いノイズ、高速応答、ゲインなし;大きなターゲットエリア、近赤外光電検出アプリケーション。
● THORLABSモデルと完全互換。
● 優れた性能、高コストパフォーマンス、包括的な技術サポート;カスタム非標準ソリューションも提供。


主要パラメータ

 型番

DET30B2(DP)

DET50B2(DP)

スペクトル応答範囲

800~1800nm

800~1800nm

  アクティブエリア

φ3.0mm

φ5.0mm

 帯域幅

540kHz

770kHz

 立ち上がり時間(@50Ω)

650ns

455ns

·NEP

2.6 X 10-12W/Hz1/2

4.0 X 10-12W/Hz1/2

ダーク電流

4.0 µA (Max)

40 µA (Typ.)80 µA (Max)

  接合容量

6nF(Max)

4000 pF (Max)

  バイアス電圧

1.8V

5.0V

  出力電流

0~10mA

  出力電圧

9V(Hi-Z); ~170 mV(50Ω)

 アクティブエリア深さ

0.09" (2.2 mm)

 ディテクタ正味重量

0.1kg

  動作温度

10~ 50℃

 保存温度

-20~70℃

 低電圧インデックス

Vout ≤9V(Hi-Z)

 寸法

2.79" x 1.96"   x 0.89" (70.9 mm x 49.8 mm x 22.5 mm)

  電源/バッテリー

電源スイッチ

信号インターフェース

バッテリー監視

ロッドインターフェース

光学インターフェース

A23, 12VDC, 40mAh

スライドスイッチ

BNC メスコネクタ

モーメンタリボタン

M4 x 2

SM1 x 1 SM0.5 x1


応答カーブ


GE2.png


寸法

GE1.png


製品構成


GE3.png


応用 / 用途

● Qスイッチレーザーの出力を監視
● モード同期レーザーの出力を監視


注文情報

PN#

光スペクトル応答範囲

アクティブエリア

立ち上がり時間(RT)

帯域幅(BW)

特長

DET30B2(DP)

800 ~ 1800nm

Φ3.0mm

650ns

540kHz

大きなアクティブエリア、近赤外光検出アプリケーション向けに設計

DET50B2(DP)

Φ5.0mm

455ns

770kHz


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