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  • Ge 大面積フォトディテクタ：800〜1800 nm、Ge、バイアス型、従来型

    • Ge 大面積フォトディテクタ：800〜1800 nm、Ge、バイアス型、従来型     


    Our<10 GHz photodetectors contain a PIN photodiode that uses the photovoltaic effect to convert optical power into electrical current. When terminated into a 50 Ω resistor on an oscilloscope, the pulse width of a laser can be measured. When terminated into a 50 Ω resistor on a spectrum analyzer, the frequency response of a laser can be measured. EOT's <10 GHz photodetectors have their own internal bias supply consisting of a long life lithium battery. Plugging a coaxial cable into the photodetector's BNC output connector and terminating with 50 Ω on an oscilloscope or spectrum analyzer is all that is required for operation.



    製品 モデル


    ネーム モデル 価額
    Ge 大面積フォトディテクタ：800～1800nm、Ge、バイアス付き、従来型   [PDF]  [RFQ]

    DET30B2(DP)
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    パラメータ


    特長

    ● Ge detector with a spectral response range of 800 nm to 1800 nm, commonly used for near-infrared (NIR) light measurement;

    ● Biased detector, extremely low noise, fast response, no gain; large target area, near infrared photoelectric detection application;

    ● Fully compatible with THORLABS models;

    ● Outstanding performance, high cost-effectiveness, and comprehensive technical support; custom non-standard solutions available.

    主要パラメータ

    Part Number

    DET30B2(DP)

    DET50B2(DP)

    Spectral response range

    800~1800nm

    800~1800nm

    Active area

    φ3.0mm

    φ5.0mm

    Bandwidth

    540kHz

    770kHz

    Rise time (@50Ω)

    650ns

    455ns

    NEP

    2.6 X 10-12W/Hz1/2

    4.0 X 10-12W/Hz1/2

    Dark current

    4.0 µA (Max)

    40 µA (Typ.)80 µA (Max)

    Junction capacitance

    6nF(Max)

    4000 pF (Max)

    Bias voltage

    1.8V

    5.0V

    Output current

    0~10mA

    Output voltage

    ~9V(Hi-Z); ~170 mV(50Ω)

    Active area depth

    0.09" (2.2 mm)

    Detector net weight

    0.1kg

    Operating temperature

    10～ 50℃

    Storage temperature

    -20~70℃

    Under-voltage index

    Vout ≤9V(Hi-Z)

    Dimensions

    2.79" x 1.96"   x 0.89" (70.9 mm x 49.8 mm x 22.5 mm)

    Power supply battery

    Power switch

    Signal interface

    Battery monitoring

    Rod interface

    Optical interface

    A23, 12VDC, 40mAh

    Slide switch

    BNC female connector

    Momentary button

    M4 x 2

    SM1 x 1 SM0.5 x1


    Response curve

    GE2.png


    寸法

    GE1.png


    Product Configuration

    GE3.png


    応用 / 用途

    ● Monitor the output of Q-switched lasers

    ● Monitor the output of mode-locked lasers

    注文情報

    PN#

    Spectral response range

    Active area

    Rise Time (RT)

    Bandwidth (BW)

    Features

    DET30B2(DP)

    800 ～ 1800nm

    Φ3.0mm

    650ns

    540kHz

    Large   active area, designed for near-infrared photodetection applications

    DET50B2(DP)

    Φ5.0mm

    455ns

    770kHz


    関連



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    10+
    10年以上の実績
    50+
    50か国以上と取引
    10000+
    累計1万台以上販売
    30+
    30件以上の特許取得実績
    1
    自社半導体ラボ保有
    10
    10種類以上の先進光学ソリューション提供
    住所: シンガポール 288 Woodlands Loop #04-00, 738100 メール: info@ld-pd.com 電話: (+65)31638599 FAX: (+65)31588700 著作権: © 2012-2025 LD-PD PTE. LTD. 無断転載禁止 LD-PD PTE. LTD. is proud to be RoHS certified through SGS and ISO9001 certified through GIC.
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