| 名称 | モデル | 説明 | パラメータ | 価額 |
|---|
· 上面照射型平面フォトダイオード(PD)
· 狭い素子間隔
· 低クロストーク、高信頼性
· 各象限の応答均一性に優れる
電気的/光学的特性(Tsub = 25°C、特に記載がない場合、CW バイアス)
パラメータ | 記号 | 最小値 | 典型値 | 最大値 | 単位 |
ピーク波長 (typ) | λ | 900-2200 | nm | ||
アクティブ直径 | φ | 3000 | um | ||
応答度@λP(min/typ) | Re | 0.9 | 1.0 | A/W | |
シャント抵抗min/typ) | 2k | 6k | Ω | ||
暗電流(max) @ 1V | 10 | uA | |||
静電容量(typ) @ 0V | 8000 | pF | |||
帯域幅 w/ 50Ω@ 0 V (typ) | 0.397 | MHz | |||
立ち上がり時間 w/ 50Ω@ 0 V (typ) | 881 | ns | |||
NEP @λPEAK (typ) | 287 x 10-14 | W/Hz1/2 | |||
直線性 (±0.2 dB @ 0 V) | 6 | dBm | |||
ケース形状 | TO-5 | ||||
タイピカル特性曲線
相対レスポンシビティ (X100%)

応用回路


絶対最大定格
パラメータ | 記号 | 単位 | 最小値 | 典型値 | 最大値 |
保存温度 | Tstg | ℃ | -40 | - | 125 |
動作温度 | TOP | ℃ | -40 | - | 85 |
逆電圧 | VPD | V | 1 | ||
逆電流 | IPR | mA | 10 | ||
順方向電流 | IPF | mA | 10 | ||
消費電力 | mW | 50 | |||
· レーザー誘導
· レーザー位置決め
· レーザー航法
· レーザー測距
PL-□□□□-☆-QD▽-XXX
□□□□:カットオフ波長
400: 400nm
900: 900nm
1700: 1700nm
2100: 2100nm
2400: 2400nm
2700: 2700nm
☆: 材料
IGA: InGaAs
SiA: Si
▽:受光部面積
1: 1mm
2: 2mm
….
5:5mm
XXX: パッケージ / 光ファイバおよびコネクタ形式
TO: TO5 Package
FSA=SMF-28E Fiber coupled+ FC/APC
FSP=SMF-28E Fiber coupled + FC/PC
FPP=PM Fiber Fiber coupled + FC/PC
FPA=PM Fiber Fiber coupled + FC/APC
ユーザー安全
安全および動作上の注意事項
本デバイスは逆バイアス電圧で動作します。端子の極性を逆に接続しないでください。
フォトダイオードを最大定格外で使用すると、デバイス故障や安全上の危険を引き起こす可能性があります。
この部品に使用する電源は、最大ピーク光出力を超えてはいけません。
ESD 保護 — 静電気放電(ESD)は、レーザーダイオードの予期せぬ故障の主な原因です。
フォトダイオードを取り扱う際は、リストストラップや接地された作業台、厳格な静電気防止対策を徹底してください。