| ネーム | モデル | 説明 | パラメータ | 価額 |
|---|
上面照射型平面PINフォトダイオード
細い素子間隔
低クロストーク、高信頼性
各象限の感度均一性に優れる
基板温度 25°C、特に記載のない場合は連続波(CW)バイアス
パラメータ | 記号. | テスト条件 | 最小値 | 典型値 | 最大値 | 単位 |
応答スペクトル | λ | VR=5V | 850~1700 | nm | ||
受光面直径 | φ | - | 4x1 | mm | ||
象限間隔 | d | 40 | um | |||
感度 | ||||||
感度 | Re | λ=1.31µm,VR=5V,Pin =10µw | 0.80 | 0.85 | A/W | |
λ=1.55µm,VR=5V,Pin =10µw | 0.90 | 0.95 | ||||
逆方向降伏電圧
| VBR | I R =10µA | 35 | V | ||
暗電流 | ID | V R =5V | 0.5 | 1.0 | nA | |
合計静電容量 | C | V R =5V | 1.5 | nF | ||
クロストーク | SL | V R =5V | 2 | % | ||
最大線形出力 | Φs | VR =5V, λ=1.55μm | 5 | - | - | mW |
-3dB帯域幅 | BW | VR=5V,λ=1.55μm,RL=50Ω | 120 | - | - | MHZ |
代表特性曲線
感度 R(A/W)

Wavelength, λ (nm)
P-Iカーブ

応用回路例



1 | 第2象限 P+ | 4 | 第4象限 P+ |
2 | 第1象限 P+ | 5 | 第3象限 P+ |
3 | GND | 6 | 共通 N- 電極 |
絶対最大定格
動作電圧 | 5V | 動作温度 | -50~+85℃ | 消費電力 | 100mW |
順電流 | 10mA | 保存温度 | -55~+125℃ | はんだ付け温度 | 260℃(10s) |
レーザー誘導
レーザー測位
レーザー航法
レーザー測距
PL-□□□□-☆-QD▽-XXX
□□□□:遮断波長
400: 400nm
900: 900nm
1700: 1700nm
2100: 2100nm
2400: 2400nm
2700: 2700nm
☆: 材料
IG: InGaAs
Si: Si
▽: 受光面積(単一素子)
1: 1mm
2: 2mm
….
3: 3mm
XXX:パッケージ/ファイバーおよびコネクタ種類
TO: TO46 Package
FSA=SMF-28E Fiber coupled+ FC/APC
FSP=SMF-28E Fiber coupled + FC/PC
FPP=PM Fiber Fiber coupled + FC/PC
FPA=PM Fiber Fiber coupled + FC/APC
ユーザーの安全
本デバイスは逆バイアス電圧下で動作します。デバイスの極性を逆に接続しないでください。
フォトダイオードを最大定格を超えて使用すると、デバイスの故障や安全上の危険が生じる可能性があります。本部品に使用する電源は、最大ピーク光出力を超えないようにしてください。
ESD保護 — 静電放電(ESD)はレーザーダイオードの予期せぬ故障の主な原因です。ESD防止のため、十分な注意を払ってください。フォトダイオードを取り扱う際は、手首ストラップの着用、接地された作業面の使用、厳格な静電気防止技術を実施してください。