Φ1 mm InGaAs 4分割 PIN検出器     


PL-1700-IG-QD1-TO InGaAs 四象限PINフォトディテクター。赤外線計測およびセンサー用途向けの高感度フォトダイオード。スペクトル応答範囲は800 nm~1700 nm。受光面のサイズは直径4×1 mm。平面パッシベーション構造。




製品 モデル


ネーム モデル 価額
1mm InGaAs 四象限 PIN フォトディテクタ   [PDF]  [RFQ]

PL- 1700-IG-QD1-TO5
Stock NO.: E80040016
[お問い合わせください]

パラメータ


特長

上面照射型平面PINフォトダイオード

細い素子間隔

低クロストーク、高信頼性

各象限の感度均一性に優れる


電気・光学特性(E/O特性)

基板温度 25°C、特に記載のない場合は連続波(CW)バイアス

パラメータ

記号.

テスト条件

最小値

典型値

最大値

単位

応答スペクトル

λ

VR=5V

850~1700

nm

受光面直径

φ

-

4x1

mm

象限間隔

d


40

um

感度





感度

Re

λ=1.31µm,VR=5V,Pin =10µw

0.80

0.85


A/W

λ=1.55µm,VR=5V,Pin =10µw

0.90

0.95


逆方向降伏電圧

 

VBR

I R =10µA

35



V

暗電流

ID

V R =5V


0.5

1.0

nA

合計静電容量

C

V R =5V



1.5

nF

クロストーク

SL

V R =5V



2

%

最大線形出力

Φs

VR =5V, λ=1.55μm

5

-

-

mW

-3dB帯域幅

BW

VR=5V,λ=1.55μmRL=50Ω

120

-

-

MHZ

 

代表特性曲線

感度 R(A/W)

w1.png

Wavelength, λ (nm)

P-Iカーブ

xg_副本_副本.png


応用回路例

w3.jpg

寸法およびピン定義

5b2afe6ea67d2.jpg

w5.png

1

2象限 P+

4

4象限 P+

2

1象限 P+

5

3象限 P+

3

GND

6

共通 N- 電極

 

絶対最大定格

動作電圧

5V

動作温度

-50~+85℃

消費電力

100mW

順電流

10mA

保存温度

-55~+125℃

はんだ付け温度

260℃(10s)


応用 / 用途

レーザー誘導

レーザー測位

レーザー航法

レーザー測距


注文情報

PL-□□□□-☆-QD▽-XXX

□□□□:遮断波長

400: 400nm

900: 900nm

1700: 1700nm

2100: 2100nm

2400: 2400nm

2700: 2700nm

☆: 材料

IG: InGaAs

Si: Si

▽: 受光面積(単一素子)

1: 1mm

2: 2mm

….

3: 3mm

XXX:パッケージ/ファイバーおよびコネクタ種類

TO: TO46 Package

FSA=SMF-28E Fiber coupled+ FC/APC

FSP=SMF-28E Fiber coupled + FC/PC

FPP=PM Fiber Fiber coupled + FC/PC

FPA=PM Fiber Fiber coupled + FC/APC

 

ユーザーの安全

本デバイスは逆バイアス電圧下で動作します。デバイスの極性を逆に接続しないでください。

フォトダイオードを最大定格を超えて使用すると、デバイスの故障や安全上の危険が生じる可能性があります。本部品に使用する電源は、最大ピーク光出力を超えないようにしてください。

 ESD保護 — 静電放電(ESD)はレーザーダイオードの予期せぬ故障の主な原因です。ESD防止のため、十分な注意を払ってください。フォトダイオードを取り扱う際は、手首ストラップの着用、接地された作業面の使用、厳格な静電気防止技術を実施してください。

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