大面積 InGaAs/InP PINフォトダイオードチップ     


LD-PD's  InGaAs pin structure based on InP by MOCVD method and planar diffusing technology. The sensitive areas of TO photodiode series products are φ5mm、φ10mm、φ15mm respectively. The products with other sensitive area, shape or package style can also be provided according to the demand of users.



製品 モデル


ネーム モデル 価額
10mm InGaAsピンフォトダイオードチップ   [PDF]  [RFQ]

LP-PD-D10
(Stock NO. Not entered)
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パラメータ


特長

● 10mm Active diameters

● High responsivity

● Low capacitance

● Low dark current

● High shunt resistance

仕様

Specification   (Tc=25℃)

Parameter

Symbol

Min

Typ

Max

Unit

Test Conditions

Response range

λ

900


1650

nm


Responsivity

R

0.85

0.90


A/W

λ=   1310nm


0.95


λ=   1550nm


0.2


λ=850nm

Dark current

ID


15

100

nA

VR=-2V

Capacitance

C


12


nF

VR=0V, f= 1MHz


Absolute Maximum Ratings

Parameter

Symbol

Value

Unit

Reverse voltage

VRmax

5

V

Forward Current


10

mA

Operating temperature

Topr

-40 to +85

Storage temperature

Tstg

-55 to +125


Dimension Parameter

Parameter

Symbol

Value

Unit

Active area diameter

D

10

mm

Bond pad diameter

-

200

µm

Die size

-

10300*10300

µm

Die thickness

t

200±20

µm


寸法

LAI1.png

応用 / 用途

● Monitoring

● Fiber-optic Instruments

● Data Communications

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