● 高出力
● 50G Baud PAM4対応 CWDM EML
● 高信頼性レーザーおよび電界吸収変調器（EAモジュレータ）

LP-E1xxx-100-C-CN-CC の特性

特に記載がない限り、チップオンキャリア（CoC）の動作温度（Top）は55°Cとします。すべてのパラメータは、特に明記がない限り初期特性（BOL）値です。

最大定格（Maximum Power Rating）

絶対最大定格を超えるストレスは、デバイスに永久的な損傷を与える可能性があります。これらはあくまで絶対最大定格であり、データシートの動作条件を超える状態における正常動作を保証するものではありません。絶対最大定格での長時間の使用は、デバイスの信頼性に悪影響を及ぼす可能性があります。

これらの最大ストレスは、チップがヒートシンクに適切に実装された後にのみ適用されます。ベアチップの状態で電流を印加すると、デバイスが損傷する可能性があります。

外形寸法およびレイアウト

認定情報

● Telcordia GR-468 に基づく認定を現在進行中です。

● 出荷されるすべてのチップは、厳格なバーンイン試験要件を満たしたウェハロットから供給されていますが、初期故障（インファントフェイラー）を除去するため、個別チップに対して追加のバーンイン実施を推奨します。

レーザー安全

警告：本レーザーダイを上位のアセンブリまたはサブアセンブリに組み込んだ場合、CDRH（21 CFR 1040）に基づく Class IIIb 相当の放射レベルとなる可能性があります。

本製品はダイレベルのサブアセンブリ部品であり、FDA/CDRHへの登録は行われていません。レーザー発振には、ユーザーによる追加の実装およびバイアス印加が必要です。

実際の光出力および安全等級は、実装方法および使用条件に依存し、これにはボンディング方法、放熱設計、熱環境、光結合設計などが含まれますが、これらに限定されるものではありません。

● 100G DR1/LR1

● 400G DR4

● 400G FR4

● 400G LR4

レーザーの性能は、顧客のRF設計および熱設計、ファイバー長、動作波長、ビットレート、動作温度範囲など、複数の要因に依存します。