検出器モジュール-LD-PD PTE. LTD.

検出器モジュール

可視光および近赤外波長では、主に光線測定や検出、産業用自動制御、光度測定などに使用されます。赤外線帯では、主にミサイル誘導、赤外線サーマルイメージング、赤外線リモートセンシングなどに使用されます。

InGaAs PDモジュール

400〜3600 nm InGaAsベース超高速フォトディテクタ（最大20 GHz）

（生産終了）InGaAs 超低ノイズ PIN 検出器モジュール（アナログ出力）

高感度 PIN-FET 受信モジュール

InGaAs 増幅型フォトディテクタ 800〜1700 nm（5 MHz）

InGaAs バタフライ型フォトディテクタ

InGaAs 超低ノイズフォトディテクタ

InGaAs フォトディテクタ

1.6 GHz デュアルポート低ノイズフォトディテクタ

InGaAsP/InP 単一光子検出器モジュール

800〜2600 nm 赤外拡張型 InGaAs 増幅フォトディテクタ

800〜1700 nm 高速 InGaAs バイアスフォトディテクタ

900〜2600 nm InGaAs バイアスフォトディテクタ

800〜1700 nm InGaAs 増幅型フォトディテクタ

800〜1700 nm InGaAs 増幅型フォトディテクタ（固定利得）

800〜1700 nm InGaAs 可変利得フォトディテクタ

400〜1700 nm InGaAs 増幅型フォトディテクタ（可変利得）

800〜1700 nm InGaAs バイアス型従来型フォトディテクタ

800〜2600 nm InGaAs 増幅型フォトディテクタ（可変利得・赤外拡張型）

PIN-FET 光受信モジュール

InGaAs APDモジュール

100 MHz デュアルポート InGaAs APD フォトディテクタ

高感度 InGaAs APD フォトディテクタモジュール

InGaAs APD フォトディテクタ

800〜1700 nm InGaAs 増幅型 APD（可変利得）

SPD6524Q デュアルチャンネル InGaAs SPAD 検出器モジュール

SPD6522Q InGaAs SPAD 検出器モジュール

InGaAs BPDモジュール

InGaAs バランスフォトディテクタ

InGaAs バタフライ型バランスフォトディテクタ

InGaAs 超低ノイズバランスフォトディテクタ

50 MHz InGaAs 低ノイズバランスフォトディテクタ

ミニサイズ InGaAs バランスフォトディテクタ

最大10 GHz対応バランス型 InGaAs フォトダイオード

最大25 GHz対応バランス型 InGaAs フォトダイオード

2μm InGaAsバランスフォトディテクター

InGaAs BAPDモジュール

InGaAs APD バランスフォトディテクタ

Si PDモジュール

Si 増幅型フォトディテクタ 320〜1100 nm（200 kHz）

350〜1100 nm シリコン系バイアスフォトディテクタ

Si 増幅型フォトディテクタ 400〜1100 nm（5 MHz）

Siフォトディテクタ

400〜900 nm シリコン系超高速フォトディテクタ（最大20 GHz）

フォトディテクタ：200〜1100 nm、Si、増幅型、固定利得

Si APDモジュール

Si APD フォトディテクタ

400〜1100 nm Si 増幅型 APD（可変利得）

雪崩フォトディテクタ（APD）

Si BPDモジュール

Si バランスフォトディテクタ

400 MHz 超低ノイズバランスフォトディテクタ

Si BAPDモジュール

Si APD バランスフォトディテクタ

InAsSb PDモジュール

2–12 µm InAsSb 増幅型フォトディテクタ（従来型）

2〜12 µm InAsSb 増幅型フォトディテクタ（高感度型）

HgCdTe PDモジュール

1-5µm HgCdTe 増幅型フォトディテクタ

Geフォトディテクタモジュール

Ge 大面積フォトディテクタ：800〜1800 nm、Ge、バイアス型、従来型

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10+

10年以上の実績

50+

50か国以上と取引

10000+

累計1万台以上販売

30+

30件以上の特許取得実績

1

自社半導体ラボ保有

10

10種類以上の先進光学ソリューション提供

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