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  • キャリア上実装型 850 nm 125 mW ゲインチップ

    • キャリア上実装型 850 nm 125 mW ゲインチップ     


    ゲインチップは、可変波長ダイオードレーザーや高安定外部共振器型ダイオードレーザーの構築において重要なコンポーネントです。標準レーザーダイオードチップとは異なり、ゲインチップは片面または両面に深い反射防止（AR）コーティングが施されており、自己発振の閾値を大幅に上げるか、自己発振を防ぎます。
    一般的な外部共振器型ダイオードレーザーの構成には Littrow 型や Littman/Metcalf 型の共振器があり、回折格子を用いて所望の波長の光を入射経路に沿って再度回折させ、格子の回転によって波長のチューニングを行います。共振器内レンズにより拡張されたビームを格子にコリメートすることが多く、零次ビームがレーザー出力として用いられます。




    製品 モデル


    名称 モデル 価額
    ゲインチップ 125 mW　850nm TO パッケージ   [PDF]  [RFQ]

    HP-GC-850-1-TO
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    パラメータ


    特長

    ·  外部キャビティでの波長ロック動作に最適化

    ·  広範囲なホッピングフリーチューニング範囲

    ·  高いSMSR

    ·  最大動作電流まで自己発振なし

    ·  TE偏光


    仕様

    推奨動作点

    パラメータ

    値

    単位

      電流

    150

    mA

     順方向電圧

    1.8

    V

    ヒートシンク温度

    25

    ℃

     

    連続波（CW）動作時の期待チューナビリティパラメータ


    推奨動作点、外部共振器：Littman 構成、フィードバック：200%

    パラメータ

    値

    単位

     最大出力波長（λₘₚ）

    850

    nm

      λₘₚ における光出力

    30

    mW

     チューニング範囲の中心波長

    845

    nm

     波長ロック範囲

    30

    nm

     チップ共振器長

    2

    mm

      前面ファセット反射率（AR コート済み）

    <0.001

    %

     背面ファセット反射率（HR コート済み）

    99

    %

     

    絶対最大定格

    パラメータ

    最小値

    最大値

    単位

     逆方向電圧


    1

    V

     順方向電流


    300

    mA

     保存温度範囲（元の密封パッケージ内）

    5

    50

    ℃

      動作温度範囲

    20

    40

    ℃

     

    典型性能（外部共振器なし、CW動作、ヒートシンク温度 25℃）


    gain2.png

    L-I-V カーブ



    gain3.png

    ASE スペクトル



    典型性能（外部共振器なし、CW、ヒートシンク温度 25°C、Littman 構成、20% フィードバック、Thorlabs GR-25-1208 グレーティング）



    gain4.png

    出力@ 850 nm



    gain5.png


    光スペクトル @ 150mA (res. 0.025 nm)

    寸法

    gain6.png

    応用 / 用途

    ·  外部キャビティダイオードレーザー

    ·  可変波長レーザー光源




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