光電変換効率

VR=5V,   λ=1.55μm, Pin=10mW

≥0.80

A/W

3dB 帯域幅（f3dB）

VR=5V,   λ=1.55μm, Pin=10mW, RFin=-10dB

0.8～18

GHz

帯内フラットネス

VR=5V,   λ=1.55μm, Pin=10mW, RFin=-10dB, fBW  =0.8 GHz～18.8 GHz

≤±1.5

dB

出力定在波比（VSWR）

VR=5V,   λ=1.55μm, Pin=10mW, RFin=-10dB, fBW  =0.8 GHz～18.8 GHz

≤2.5:1

-

飽和入力光パワー（PS）

VR=5V,   λ=1.55μm, fc=9.8 GHz, RFin=-10dB

≥10

mW

利得（Gain G）

VR=5V,   λ=1.55μm, fc=9.8 GHz, RFin=-10dB, RFin=-10dB

≥13

dB

LNA 動作電流（Icc）

VR=5V,   λ=1.55μm, Pin=10mW

60～90

mA

 保管温度範囲（TSTG）

-45～+85

℃

動作温度範囲（TC）

-40～+70

℃

 バイアス電圧（VR）

4.5～5.5

V

 入射光パワー（Pin、VR=5V）

≤13

mW

  はんだ付け温度（Tsolder）

260（10s）

℃

 静電気耐性（ESD）

≥250

V