800〜2600 nm 赤外拡張型 InGaAs 増幅フォトディテクタ

概要
特長
仕様
パッケージサイズ
応用 / 用途

The infrared extended InGaAs amplified photodetector has a sensitive range of 800nm~2600nm, 8 levels of adjustable gain, can realize quantitative photoelectric conversion, and has a wide dynamic range. It is suitable for various optoelectronic development scenarios, has excellent performance, and is cost-effective. It provides omnidirectional technical support and is often used in near- and mid-infrared light measurement.

製品モデル

ネーム	モデル	説明	パラメータ	価額
800–2600nm 赤外拡張型 InGaAs 増幅フォトディテクタイ [PDF] [RFQ]	C3A-2600LAE (Stock NO. Not entered)	スペクトル応答：800–2600nm、応答時間定数：25ns、ゲイン範囲：1.51kV/A ～ 4.75MV/A	応答波長: 800-2600nm リードタイム: in stock	[お問い合わせください] Call us

ネーム

モデル

説明

パラメータ

価額

800–2600nm 赤外拡張型 InGaAs 増幅フォトディテクタイ [PDF] [RFQ]

C3A-2600LAE
(Stock NO. Not entered)

スペクトル応答：800–2600nm、応答時間定数：25ns、ゲイン範囲：1.51kV/A ～ 4.75MV/A

応答波長: 800-2600nm

リードタイム: in stock

[お問い合わせください]

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パラメータ

特長

● The photosensitive range covers 800nm~2600nm, which is often used for near-mid-infrared light measurement

● Amplified detector, 8-level adjustable gain, quantitative photoelectric conversion

● Wide dynamic range, suitable for various infrared photoelectric development scenarios

● Excellent performance, high cost performance, all-round technical support

● Provide non-standard customized services

仕様

Parameter	Specifications
Wavelength Range	800-2600nm 800-2200nm
Response Time Constant	25ns
Gain Range	1.51kV/A～4.75MV/A;0.75kV/A～2.38MV/A
Signal Amplitude	0～10V;0～5V
Gain Adjustment Method	0～70dB, 10dB per level, 8 levels in total
NEP	1mm×1mm; 2mm×2mm
Photosensitive Surface Depth	0.13" (3.3 mm)
Detector Net Weight	0.10kg
Operating Temperature	10-40℃
Storage temperature	-20-70℃
Dimensions	2.79" X 2.07" X 0.89" (70.9 mm X 52.5 mm X 22.5 mm)

Response Curve:

パッケージサイズ

unit(mm)

応用 / 用途

● Near and mid-infrared light measurement

800〜2600 nm 赤外拡張型 InGaAs 増幅フォトディテクタ

製品 モデル

パラメータ

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