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  • TLNLB 1310nm 40/60 Oバンド トラベリングウェーブ型電気光学光強度変調器チップ

    • TLNLB 1310nm 40/60 Oバンド トラベリングウェーブ型電気光学光強度変調器チップ     


    UFPは、さまざまなフォーマットおよびデータレートに対応した薄膜リチウムニオベート（TFLN）変調器チップを提供しています。例として、800 Gbps用途向けのDR8および2 × FR4（各レーン100 Gbps）、1.6 Tbps用途向けのDR4（各レーン400 Gbps）があります。豊富な経験とノウハウを活かし、AFRのエンジニアが顧客の特定要件に合わせたカスタマイズに対応可能です。




    製品 モデル


    名称 モデル 価額
    ベンド導波路 60 GHz 電気光学式強度変調器チップ   [PDF]  [RFQ]

    TFLNB60G-1310
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    ベンド導波路 40 GHz 電気光学式強度変調器チップ   [PDF]  [RFQ]

    TFLNB40G-1310
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    パラメータ


    特長

    ·  シングルエンドまたは差動駆動のオプション

    ·  統合型mPD

    ·  2 x FR4用統合型MUX


    仕様

    製品仕様（明記がない限り、すべての試験は25°Cにて実施）

    パラメータ

    記号

    テスト条件

    最小値

    典型値

    最大値

    単位

    動作波長

    λ


    1310(O band)

    nm

    挿入損失

    IL

    1310nm 0dBm CW


    4

    4.5

    dB

    RF 半波電圧

    Vπ

    1310nm CW  f mod=50kHz


    3.3

    3.5

    V

    3 dB 帯域幅

    S21


    40/60

    GHz

    消光比 (ER)

    ER


    20



    dB

    RF 反射損失

    S11




    -10

    dB

    熱チューニング抵抗

    R



    80


    Ω

    熱チューニング Pπ

    Pπ



    50


    mW

    入出力導波路モードフィールド

    MFD


    4/9

    μm

     

    絶対最大定格

    パラメータ

    記号

    定格値

    単位

    入力光パワー

    Ps,o

    23

    dBm

    入力光反射損失

    Ps,rf

    23

    dBm

    TEC電圧

    VH

    ±8

    V

      動作温度

    TW

    -40 ～ +85

    ℃

    保管温度

    TS

    -40 ～ +85

    ℃


    応用 / 用途

    ·  AIクラスター

    ·  データセンター

    ·  プラガブルまたはCPO




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    10+
    10年以上の実績
    50+
    50か国以上と取引
    10000+
    累計1万台以上販売
    30+
    30件以上の特許取得実績
    1
    自社半導体ラボ保有
    10
    10種類以上の先進光学ソリューション提供
    住所: シンガポール 288 Woodlands Loop #04-00, 738100 メール: info@ld-pd.com 電話: (+65)31638599 FAX: (+65)31588700 著作権: © 2012-2025 LD-PD PTE. LTD. 無断転載禁止 LD-PD PTE. LTD. is proud to be RoHS certified through SGS and ISO9001 certified through GIC.
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