特性
LP-E1550-10-C-Dxx の特性チップ動作温度（Top）：45 °C（特記なき場合）。
すべてのパラメータは、特記なき場合は初期寿命（BOL）条件に基づきます。
パラメータ | 記号 | 条件 | 最小値 | 代表値（Typ） | 最大値 | 単位 |
チップ動作温度 | Top | ─ | 40 | 45 | 55 | ℃ |
閾値電流（LD） | Ith | CW | ─ | ─ | 25 | mA |
動作電流（LD） | Iop | CW | ─ | 75 | 100 | mA |
EAMオフセット電圧 | Vea | ─ | -1.5 | ─ | 0 | V |
EAMピークツーピーク変調電圧 | Vpp | ─ | ─ | ─ | 2.5 | V |
光出力パワー | Pop | CW, Iop =75mA, Vea =0V | 6 | ─ | ─ | dBm |
消光比 | AC-ER | CW, Iop =75mA, Vpp=2V | 8.2 | ─ | ─ | dB |
ピーク波長（DWDM） | λp | CW, Iop =75mA, Vea =0V | 受注情報を参照ください | ─ |
サイドモード抑圧比 | SMSR | CW, Iop =75mA, Vea =0V | 35 | ─ | ─ | dB |
スペクトル幅 | △λ | CW, -20dB, Iop =75mA, Vea =0V | ─ | ─ | 0.4 | nm |
波長温度係数 | △λ/△T | CW | ─ | 0.09 | ─ | nm/℃ |
帯域幅 | Fr | Iop=75mA,Vea=-0.8V,@- 3dB,Tc=45℃ | 10 |
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最大電力定格
絶対最大定格を超えるストレスは、デバイスに永久的な損傷を与える可能性があります。これらは絶対的なストレス定格であり、この条件下での正常動作を保証するものではありません。データシートの動作条件欄に記載された範囲を超える条件での動作は保証されません。また、絶対最大定格条件への長時間の曝露は、デバイスの信頼性に悪影響を及ぼす可能性があります。
No | パラメータ | 記号 | 条件 | 最小値 | 最大値 | 単位 |
1 | 動作温度 | Top | ─ | -5 | 75 | ℃ |
2 | 保存温度 | Tst | ─ | -40 | 95 | ℃ |
3 | 光出力パワー | Po | ─ | ─ | 20 | mW |
4 | レーザ逆電圧 | Vr | ─ | ─ | -2 | V |
5 | レーザ順電流 | Iop | ─ | ─ | 150 | mA |
6 | 変調器逆電圧 | Vmr | ─ | ─ | -3 | V |
7 | 変調器順電圧 | Vmf | ─ | ─ | 1 | V |
これらの最大ストレス条件は、チップが適切にヒートシンクへ実装された後にのみ適用されるものです。裸チップの状態で通電すると、デバイスが損傷する可能性があります。
梱包およびラベル
製品は、下図に示すようにグリップリング内のブルーテープ上に梱包されます。
チップ寸法およびレイアウト
認証情報
● Telcordia GR-468に準拠した認証プロセスを実施中です。
● 出荷されるすべてのチップは厳格なバーンイン要件を満たすことが認証されたウェハに由来していますが、初期不良（インファントフォールト）を除去するため、個々のチップについてもバーンイン試験を実施することが推奨されます。
レーザー安全性
警告： 本レーザーダイへの上位レベルのアセンブリまたはサブアセンブリへの統合により、CDRH（21 CFR 1040）に基づくClass IIIbレベルの放射を有する製品となる可能性があります。
本ダイレベルコンポーネントはFDA/CDRHへの個別登録は行われておらず、サブアセンブリ用途としてのみ提供されており、レーザー発光のためにはユーザーによるさらなる統合およびバイアス供給が必要です。
実際の光出力および安全クラスは、実装条件および使用環境に依存し、これにはボンディング方法、放熱設計、熱環境、および光結合設計などが含まれます。
