LP3000F4 InGaAs 4 分割モニタ用 PD チップ     


InGaAs Quadrant PIN Detector, high sensitivity photo-diode for use in infrared instrumentation and sensing applications. High spectral response in the region 800 nm to 1700 nm. The photosensitive area is 4x3.0mm  in diameter. Planar-passivated device structure.



製品 モデル


名称 モデル 価額
3000um InGaAs Four Quadrants Monitor PD Chip   [PDF]  [RFQ]

LP3000F4
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パラメータ


特長

● Φ3500nm active area

● High responsivity

● Low capacitance

● Low dark current

● Top illuminated planar structure

主要パラメータ

Parameters(Tc=25℃)

PARAMETER

SYMBOL

MIN

TYP

MAX

UNIT

TEST   CONDITIONS

Response range

λ

900


1650

nm


 Responsivity

R

0.85

0.90


A/W

λ= 1310nm


0.95


λ= 1550nm


0.2


λ=850nm

Dark current

ID


52.0

10.0

nA

VR=-5V

Capacitance

C


120

160

pF

VR=-5V,   f= 1MHz


Absolute Maximum Ratings

PARAMETER

SYMBOL

VALUE

UNIT

Reverse voltage

VRmax

20

V

Operating temperature

Topr

-40 to +85

Storage temperature

Tstg

-55 to +125


寸法

PARAMETER

SYMBOL

VALUE

UNIT

Active area diameter

D

3000

µm

Bond pad diameter

-

120

µm

Die size

-

3180x3180

µm

Die thickness

t

180±20

µm


Precautions for use

This chip is susceptible to damage as a result of ESD. Use of ground straps, antistatic mats, and other standard ESD protective equipment is requisite when handling or testing an InGaAs or GaAs PIN/APD chip.


応用 / 用途

● Beam Alignment

● Optical Tracking,Positioning

● Laser Position Monitor

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