| 名称 | モデル | 説明 | パラメータ | 価額 |
|---|
· ガウス型ビームプロファイル
· 低ビーム発散角
· 低スペクトル幅
· 低入力パワー
電気光学特性
温度:25 °C(特に記載のない場合)
パラメータ | 記号 | 単位 | 最小値 | 典型値 | 最大値 | 試験条件 |
しきいち電流 | ITH | mA | 0.3 | |||
しきいち電圧 | UTH | V | 1.8 | |||
出力 | Popt | mW | 0.3 | 0.5 | ||
レーザ電流 | IOP | mA | 2 | |||
レーザ 電圧 | UOP | V | 2.35 | I = 2 mA | ||
入力対光変換効率 | ηWP | % | 13 | I = 2 mA | ||
傾き効率 | ηS | W/A | 0.4 | |||
微分直列抵抗 | RS | Ω | 200 | I = 2 mA | ||
側面モード抑圧比 | SMSR | dB | 30 | I = 2 mA | ||
ビーム発散角 | θ | ° | 15 | I = 2 mA, full width 1/2 | ||
スペクトル幅 | MHz | 100 | I = 2 mA | |||
電流による波長変化 | nm/mA | 0.76 | ||||
温度による波長変化 | nm/K | 0.06 |
LIV特性& スペクトル特性

760nm

763nm

パラメータ | 最小値 (µm) | 最大値 (µm) |
長さ | 420 | 480 |
幅 | 420 | 480 |
厚さ | 135 | 165 |
注意: すべての測定値はマイクロメートル(µm)単位です。
チップの上部には2つのアノードパッドがあり、それぞれが2つの発光開口部に接続されています。基板は導電性(n型)です。チップの裏面はカソードとして金属化されています。
· 酸素センシング用高性能
· FTIR光源
選定条件 | ||
T = 25°C、I = 2mA(特に記載がない場合) | ||
PN | 最小出力 | 波長 |
LP-VCSEL-761-03 | 0.3 mW | 761±1 nm |
LP-VCSEL-761-05 | 0.5 mW | 761±1 nm |
LP-VCSEL-763-03 | 0.3 mW | 763±1 nm |
LP-VCSEL-763-05 | 0.5 mW | 763±1 nm |