761 nm / 763 nm シングルモード VCSELチップ

概要
特長
仕様
外形図およびダイ寸法
応用 / 用途
注文情報

LD-PD Single-mode VCSELs are the perfect choice for demanding Oxygen sensor applications due to their improved optical characteristics. Higher-order longitudinal and transversal modes are suppressed by the innovative chip design; at the same time, the polarization is linearly stable.

製品モデル

ネーム	モデル	説明	パラメータ	価額
763nm シングルモード　VCSELチップ [PDF] [RFQ]	LP-VCSEL-763-05 (Stock NO. Not entered)	中心波長：763±1 nm、出力：0.5mW、スペクトル帯域幅：100 MHz （最小注文数量：10個）	中心波長: 761nm 出力パワー: 0.5mW リードタイム: 3-4 weeks	[お問い合わせください] Call us
763nm シングルモード　VCSELチップ [PDF] [RFQ]	LP-VCSEL-763-03 (Stock NO. Not entered)	中心波長：763±1 nm、出力：0.3 mW、スペクトル帯域幅：100 MHz （最小注文数量：10個）	中心波長: 761nm 出力パワー: 0.3mW リードタイム: 3-4 weeks	[お問い合わせください] Call us
761nm シングルモード　VCSELチップ [PDF] [RFQ]	LP-VCSEL-761-05 (Stock NO. Not entered)	中心波長：761±1 nm、出力：0.5mW、スペクトル帯域幅：100 MHz （最小注文数量：10個）	中心波長: 761nm 出力パワー: 0.5mW リードタイム: 3-4 weeks	[お問い合わせください] Call us
761nm シングルモード　VCSELチップ [PDF] [RFQ]	LP-VCSEL-761-03 (Stock NO. Not entered)	中心波長：761±1 nm、出力：0.3 mW、スペクトル帯域幅：100 MHz （最小注文数量：10個）	中心波長: 761nm 出力パワー: 0.3mW リードタイム: 3-4 weeks	[お問い合わせください] Call us

パラメータ

特長

● Gaussian-shaped beam profile

● Low beam divergence

● Low spectral width

● Low power input

仕様

ELECTRO-OPTICAL CHARACTERISTICS

T = 25°C unless otherwise stated

PARAMETER	SYMBOL	UNITS	MIN	TYP	MAX	TEST CONDITIONS
Threshold current	ITH	mA		0.3
Threshold voltage	UTH	V		1.8
Output power	Popt	mW	0.3	0.5
Laser current	IOP	mA			2
Laser voltage	UOP	V		2.35		I = 2 mA
Wallplug efficiency	ηWP	%		13		I = 2 mA
Slope efficiency	ηS	W/A		0.4
Differential series resistance	RS	Ω		200		I = 2 mA
Side mode suppression ratio	SMSR	dB	30			I = 2 mA
Beam divergence	θ	°		15		I = 2 mA, full width 1/2
Spectral bandwidth		MHz		100		I = 2 mA
Wavelength tuning over current		nm/mA		0.76
Wavelength tuning over temperature		nm/K		0.06

LIV&Spectrum

760nm

763nm

外形図およびダイ寸法

Parameter	Min (µm)	Max (µm)
Length	420	480
Width	420	480
Thickness	135	165

NOTE: All measurements are in microns (µm).

There are two anode pads on the top of the chip, which are connected to two emission apertures. The substrate is conducting (n-type). The backside of the chip is metallized as cathode.

応用 / 用途

● High Performance for Oxygen Sensing

● FTIR Light source

注文情報

SELECTION CONDITIONS
T = 25°C, I = 2mA unless otherwise stated
PN	Power (min)	Wavelength
LP-VCSEL-761-03	0.3 mW	761±1 nm
LP-VCSEL-761-05	0.5 mW	761±1 nm
LP-VCSEL-763-03	0.3 mW	763±1 nm
LP-VCSEL-763-05	0.5 mW	763±1 nm

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10+

10年以上の実績

50+

50か国以上と取引

10000+

累計1万台以上販売

30+

30件以上の特許取得実績

自社半導体ラボ保有

10種類以上の先進光学ソリューション提供

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