1.5mm Large Area InGaAs/InP PIN Photodiode Chip     


LD-PD's  InGaAs pin structure based on InP by MOCVD method and planar diffusing technology. The sensitive areas of TO photodiode series products are φ1.5mm. The products with other sensitive area, shape or package style can also be provided according to the demand of users.  



製品 モデル


名称 モデル 価額
1.5mm Large Area InGaAs/InP PIN Photodiode Chip   [PDF]  [RFQ]

LP-PD-D1.5
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パラメータ


特長

● 1.5mm Active diameters

● High responsivity

● Low capacitance

● Low dark current

● High shunt resistance

仕様

Specification   (Tc=25℃)

Parameter

Symbol

Min.

Typ.

Max.

Unit

Test Conditions

Response range

λ

900


1650

nm


Responsivity

R

0.85

0.90


 A/W

λ= 1310nm


0.95


λ= 1550nm


0.2


λ=850nm

Dark current

ID


7.0

20.0

nA

VR=5V

Capacitance

C


125

180

pF

VR=5V, f= 1MHz


Absolute Maximum Ratings

Parameter

Symbol

value

Unit

Reverse voltage

VRmax

20

V

Operating temperature

Topr

-40 to +85

Storage temperature

Tstg

-55 to +125


寸法

1.5mm Large Area InGaAs inP PIN Photodiode Chip.png

Dimension Parameter

Parameter

Symbol

value

Unit

Active area diameter

D

1500

µm

Bond pad diameter

-

120

µm

Die size

-

1750x1750

µm

Die thickness

t

180±20

µm




応用 / 用途

● Monitoring

● Fiber-optic Instruments

● Data Communications

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