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  電話
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• 要求タイプ：
  新規
  既存
• 納期希望：
  即時
  1-3カ月
  4-6カ月
  6-12カ月
• 技術仕様
• 1. 波長範囲（Wavelength Range）:
  800–1800nm Ge（ゲルマニウム）
  800–1700nm InGaAs（格子整合型）
  1100–2600nm Extended InGaAs（拡張型InGaAs）
• 2. 検出器形状（Detector Geometry）:
  単一素子（Single Element）
  4素子（Quad）
  線状アレイ（Linear Array）
• 検出器サイズ（Detector Size）:
  --Select Size-- N/A 60um 75um 100um 300um 500um 1mm 1.5mm 2mm 3mm 5mm 1cm
• 3. 材料（Materials）：
  Ge（ゲルマニウム） 800–1800 nm
  Ge APD（ゲルマニウム APD） 800–1800 nm
  InGaAs（インジウム・ガリウム・ヒ素） 800–1700 nm
  InGaAs APD（インジウム・ガリウム・ヒ素 APD） 800–1700 nm
• 拡張型 InGaAs（Extended InGaAs）:
  --Select Wavelength-- N/A 1.9um 2.05um 2.2um 2.6um
• 二色検出:
  --Select Type-- N/A Si/Ge Si/InGaAs InGaAs/InGaAs
• 4. 周波数特性：
  DC～1 MHz
  2 MHz～2 GHz
  >2 GHz以上
• 5. 感度仕様：
  --Select Wattage-- N/A mW mW nW pW
• 6. パッケージング仕様：
  TO-5
  TO-8
  TO-9
  TO-18
  TO-46
  セラミックキャリア
  カスタム仕様
  アクティブマウント：
  SC
  FC
  ST
  SMA
• 7. 光ファイバ接続仕様：
  モード:
  シングルモード
  マルチモード
  ファイバタイプ:
  裸ファイバ（250 µm）
  バッファ付ファイバ（900 µm）
  ジャケット付ファイバ（3 mm）
  コネクタタイプ：
  SC
  FC
  ST
  SMA
  研磨タイプ：
  PC- 30 dB
  UPC- 50 dB
  APC- 65 dB
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