発光波長

λR

795nm

しきいち 閾値電流

ITH

1

mA

 出力

Popt

0.1

0.2

mW

  しきいち電圧

UTH

1.8

V

 駆動電流

IOP

3

mA

Popt = 0.1 mW

  レーザー電圧

UOP

2

V

Popt = 0.1mW

 電光変換効率

ηWP

12

%

Popt = 0.1mW

傾き効率

ηS

0.3

W/A

 差動直列抵抗

RS

300

500

Ω

Popt = 0.1 mW

 3dB帯域幅

ν3dB

0.10

GHz

Popt = 0.3 mW Due to ESD protection diode

 相対強度ノイズ

RIN

-130

-120

dB/Hz

Popt = 0.3 mW @ 1 GHz

  電流による波長調整

0.6

nm/mA

 温度による波長調整

0.06

nm/K

 熱抵抗（VCSELチップ）

Rthermal

3

5

K/mW

 サイドモード抑圧

25

dB

I  = 2 mA

ビーム拡散角

θ

10

25

°

Popt = 0.1 mW, full width 1/e2

スペクトル幅

100

MHz

Popt = 0.1 mW

 TEC電流

mA

-150（加熱）

 +300（冷却）

適切なヒートシンクが必要です

  NTCサーミスタ抵抗

KΩ

9.5

10.0

10.5

T=25℃@10 KΩ

 NTCサーミスタ抵抗（繰り返し）

KΩ

10/exp{3892-(1/289K-I/TOP)}

2

サーミスタ

9

N/C

3

PD　モニタアノード (-)

10

N/C

4

PD モニタカソード(+)

11

レーザーアノード (+)

5

サーミスタ

12

レーザーカソード(–)

6

N/C

13

N/C

7

N/C

14

TEC (-)

保管温度

  ℃

-40

25

125

 チップ温度

℃

+10

25

40

 動作電流

mA

0

2

3

  順方向電圧

V

0.8

1.2

1.8

 TEC電流

mA

-150

-

+300

はんだ付け温度＊

℃

100

130

270

 電気消費電力

mw

-

-

5