·  高出力（キンクオフ電力 最大700mW）

·  チップサイズ：3000µm × 400µm × 120µm

·  高信頼性

·  多量子井戸（MQW）アクティブ層

電気/光学特性
(基板温度 T_sub = 25 °C、特に指定がない場合は連続波 (CW) バイアス)

テスト曲線（典型値）

Unit (mm)

絶対最大定格

注意：

1.絶対最大定格を超える応力は、デバイスに永久的な損傷を与える可能性があります。

2.これらはあくまで絶対最大応力定格であり、デバイスが動作可能であることを保証するものではありません。データシートの動作条件を超えた使用は推奨されません。

3.絶対最大定格に長時間さらされると、デバイスの信頼性に悪影響を及ぼす可能性があります。

取り扱い手順

1.推奨ボンディング条件

● ボンディング温度：350℃

● ボンディング力：30グラム（40グラムを超えないこと）

● ボンディング力および温度は徐々に加えること

● ボンディング時間：10秒以下

2.推奨バーンイン条件

条件1

● チップヒートシンク温度：100℃

● 電流：100mA

● 時間：24時間

● 合格基準：BI 0時間 LIV1；BI 24時間 LIV2 → LIV2をLIV1と比較

● ΔIth（T=25℃） ≤1mA、ΔPf（T=25℃） ≤10%

条件2

● チップヒートシンク温度：100℃

● 電流：100mA

● 時間：24時間 + 48時間

● 合格基準：BI 24時間 LIV1；BI 24時間+48時間 LIV2 → LIV2をLIV1と比較

● ΔIth（T=25℃） ≤0.7mA、ΔPf（T=25℃） ≤5%

·  通信

·  データ通信

·  ストレージエリアネットワーク

·  都市域ネットワーク（MAN）

·  パッシブ光ネットワーク（PON）

FP-Pump Chips-☆-A8▽-W□□□□

☆ ：出力

A：500mW

▽：波長許容範囲

1：±1nm

2：±2nm

□□□□：波長

974:974nm

*****

980：980nm