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    LPWBHT-BT10-G 高温対応ゲイガーモード InGaAs/InP 単一光子アバランシェダイオード（SPAD）は、近赤外波長帯における単一光子検出およびカウント用に設計された高性能な光電子デバイスです。

    InGaAs/InPヘテロ接合半導体材料系をベースに開発されており、0℃以上の広い温度範囲における単一光子検出用途に最適化されています。冷却電力消費およびシステムの複雑性を低減しながら、高効率かつ低ダークカウントでの単一光子信号取得を実現し、量子鍵配送（QKD）や微弱光検出などの高性能分野の厳しい要求に対応します。

    本デバイスは900～1700nmの近赤外スペクトル応答範囲を有し、単一光子レベルでの超高感度検出が可能です。また、最適化された高温安定設計により、広い動作温度範囲において性能の一貫性を確保しています。これにより、小型機器への統合要件を満たすと同時に、屋外基地局や産業制御環境などの複雑な条件下でも長期安定動作をサポートします。




    製品 モデル


    名称 モデル 価額
    冷却型バタフライパッケージ SPAD デバイス   [PDF]  [RFQ]

    LPWBHT-BT10-G
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    パラメータ


    特長

    ● 高温条件下でも低ダークカウントレート：<150 cps（検出効率20%、-30°C、100 MHz時）

    ● 高速ゲートモード対応：≥100 MHz、フリーランニングモードにも対応

    ● バックイルミネーション方式、10ピンバタフライ冷却パッケージ、FC/PCシングルモードピグテール付き

    ● 進行波電極による高検出効率：>20%、アフターパルス確率2.5%以下


    動作環境

    ● 動作温度：-50°C ～ +80°C
    ● 保存温度：-50°C ～ +85°C



    主要パラメータ

    SPADデバイス技術仕様

    製品型番

    LPWBHT-BT10-G

    動作温度

    -50~80℃

    保存温度

    -50℃~+85℃



    光電気特性

    パラメータ

    単位

    テスト条件

    最小値.

    最大値.

    DC特性（Te = 23±2℃）

     ブレークダウン電圧（Vbr）

    V

    Ia=10μA

    50

    70

     感度

    A/W

    λ=1.55μm, 　V=Vbr-2V,  Φe=1μW

    8

    -

    ダーク電流（Ia）

    nA

    　V=Vbr-2V, Φe=0

    -

    1

     容量（Cot）

    pF

    V=Vbr-2V, f=1MHz

    -

    0.35

     ブレークダウン電圧の温度係数（n）

    V℃

    Top=-40~+   30℃,I=10μA,Φe=0

    -

    0.15

    ゲイガーモード特性（Top = -30℃）

     光子検出効率（PDE）

    %

    0.1ph/pulse,   λ=1.55μm

    20

    -

     ダークカウントレート（DCR）

    kHz

    fg=100MHz, PDE=20%

    -

    1.5

     アフターパルス確率（APP）

    %

    -

    2.5



    TEC仕様

    パラメータ

    単位

    最大値.

    性能
       (323 K / N₂)

    △Tmax

    K

    119

    Qmax

    W

    0.8

    △Imax

    A

    2.5

    Umax

    V

    2.2

    ACR

    Ohm

    0.78



    絶対最大定格

    サーミスタ：5 kΩ（25℃時）

    サーミスタ定数：A = 1.2548E-03 B = 2.3738E-04 C = 1.3222E-07

    パラメータ

    単位

    値

    パラメータ

    はんだ付け温度（Tsd、時間）

    ℃

    260(10s)

    直流逆バイアス電圧（Vr）

    V

    Vbr

    過剰バイアスパルス振幅（Vg）

    V

    10

    入力光パワー（Φe、連続動作）

    mW

    1

    順方向電流（Ie、連続動作）

    mA

    1



    パッケージ構造

    外形寸法

    mm

    1000(L)×10.5(W)×8.77(H)

    パッケージタイプ

    -

    気密封止（ハーメチック）／非気密封止

     ファイバーピグテール

    FC/PCシングルモードファイバーピグテールl

     ESD試験

    標準：MIL-STD-883E、Method 3015.7、Class 1（≥300 V）


    代表特性曲線


    SAPD1.png


    SAPD2.png



    寸法およびピン定義

    製品寸法

    SAPD3.png


    ピン定義

    PIN#

    記号　

    説明

    1

    APD_C

     APDカソード

    2

    D1_C

    バランスダイオードカソード

    3

    GND

     ケースグラウンド

    4

    TH1

     サーミスタ端子1

    5

    TEC-

     TECマイナス端子

    6

    TEC+

     TECプラス端子

    7

    TH2

      サーミスタ端子2

    8

    GND

     ケースグラウンド

    9

    D1_A

     バランスダイオードアノード


    バージョン説明

    No.

    バージョン

    改訂日　

    改訂内容

    1

    V1.0

    2025.12.5

    新規ドキュメント追加



    応用 / 用途

    ● 量子暗号／量子鍵配送（QKD）
    ● バイオメディカル計測機器
    ● 長距離LiDARシステム
    ● 低照度レベル検出アプリケーション




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