高出力 1310 nm CW 400 mW DFBレーザーチップ     


LD-PDの高出力分布帰還(DFB)レーザーは、CW動作のInP多重量子井戸(MQW)レーザーダイオードです。高い熱安定性と高いサイドモード抑制比(SMSR)を特徴としています。



製品 モデル


名称 モデル 価額
高出力 1310 nm CW 400 mW DFBレーザーチップ   [PDF]  [RFQ]

DFB1310nm-400
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パラメータ


特長

·  Oバンド中心波長

·  出力パワー400 mW以上

·  シングル横モード

·  RoHS準拠


電気・光学特性(E/O特性)

パラメータ

記号

テスト条件

最小値

典型値

最大値

単位

閾値電流

Ith

CW Top:25℃


50

80

mA

CW Top:25℃


90

150

mA

CW Top:25℃  400mW


1000

1200

mA

CW Top:75℃  200mW


800

1200

mA

順方向電圧

Vf

If≤1200mA


2.5

3.0

V

ピーク波長

λ

CW   0~75℃

1305


1317

nm

波長/温度係数


CW


0.098


nm/℃

サイドモード抑圧比(SMSR)

SMSR

Po=Pf

35



dB

ビーム拡がり角(水平、FWHM)

θh

If=Ith+20mA


14

26

deg

ビーム拡がり角(垂直、FWHM)

θv

If=Ith+20mA


26

30

deg

相対強度雑音(RIN)

RIN

25~75℃


-145

-140

dB/Hz

絶対最大定格

パラメータ

記号

最小値

典型値

最大値

単位

 順方向電流(LD)

If



1200

mA

逆電圧(LD)

Vr



2.0

V

動作温度

Top

0


75

保存温度(パッケージ)

Tstg

-40


90

保存相対湿度

RH



85

 リフローはんだ温度(最大10秒)

Ts



300


寸法

外形図
1)ベアダイ形状


PJ.png


パラメータ

記号

単位

 キャビティ長

L

2000±50

µm

 

W

250±10

µm

 厚さ

H

110±10

µm

20260222-112239.jpg


応用 / 用途

·  シリコンフォトニクス光源

·  CATV用CW光源

·  長距離WDM通信

·  センシング

·  RFリンク


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