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  • High power 1310nm CW 400mW DFB Laser Chip

    • High power 1310nm CW 400mW DFB Laser Chip     


    LD-PD High power distributed feedback laser (DFB) is a CW InP MQW laser diode. High thermal stability, high side-mode suppression ratios (SMSR).




    製品 モデル


    名称 モデル 価額
    High power 1310nm CW 400mW DFB Laser Chip   [PDF]  [RFQ]

    DFB1310nm-400
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    パラメータ


    特長

    ● Center wavelength at O-band

    ● More than 400mW Output power

    ● Single transverse mode

    ● Compliant with ROHS

    電気・光学特性（E/O特性）

    Parameter

    Symbol

    Test Conditions

    Min.

    Typ.

    Max.

    Unit

    Threshold   Current

    Ith

    CW Top：25℃


    50

    80

    mA

    CW Top：25℃


    90

    150

    mA

    CW Top：25℃  400mW


    1000

    1200

    mA

    CW  Top：75℃  200mW


    800

    1200

    mA

    Forward Voltage

    Vf

    If≤1200mA


    2.5

    3.0

    V

    Peak   wavelength

    λ

    CW   0~75℃

    1305


    1317

    nm

    Wavelength/temperature coefficient


    CW


    0.098


    nm/℃

    Side Mode Suppress Ratio

    SMSR

    Po=Pf

    35



    dB

    Beam Divergence Angle

    (Horizontal, FWHM)

    θh

    If=Ith+20mA


    14

    26

    deg

    Beam Divergence Angle

    (Vertical, FWHM)

    θv

    If=Ith+20mA


    26

    30

    deg

    Relative   intensity noise

    RIN

    25~75℃


    -145

    -140

    dB/Hz


    Absolute maximum ratings

    Parameter

    Symbol

    Min.

    Typ.

    Max.

    Unit

    Forward Current (LD)

    If



    1200

    mA

    Reverse Voltage (LD)

    Vr



    2.0

    V

    Operating Temperature

    Top

    0


    75

    ℃

    Storage Temperature Package

    Tstg

    -40


    90

    ℃

    Storage Relative Humidity

    RH



    85

    ％

    Solder Reflow Temperature (10sec max)

    Ts



    300

    ℃


    寸法

    Outline Drawing

    (1) Bare die form

    PJ.png

    Parameter

    symbol

    Value

    Unit

    Cavity Length

    L

    2000±50

    µm

    Width

    W

    250±10

    µm

    Thickness

    H

    110±10

    µm


    20260222-112239.jpg


    応用 / 用途

    ● Silicon photonic optical source

    ● CW optical source in CATV

    ● long haul WDM

    ● Sensing

    ● RF links



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    10+
    10年以上の実績
    50+
    50か国以上と取引
    10000+
    累計1万台以上販売
    30+
    30件以上の特許取得実績
    1
    自社半導体ラボ保有
    10
    10種類以上の先進光学ソリューション提供
    住所: シンガポール 288 Woodlands Loop #04-00, 738100 メール: info@ld-pd.com 電話: (+65)31638599 FAX: (+65)31588700 著作権: © 2012-2026 LD-PD PTE. LTD. 無断転載禁止 LD-PD PTE. LTD. is proud to be RoHS certified through SGS and ISO9001 certified through GIC.
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