850nm 100Gb/s InGaAs 1×4アレイフォトディテクターチップ     


This product is an 850 nm 100 Gb/s InGaAs 1×4 array photodetector chip that performs photoelectric conversion. It is suitable for applications such as multimode transceivers and optical receivers.



製品 モデル


ネーム モデル 価額
850nm 100Gb/s InGaAs 1×4 Array Photodetector Chip   [PDF]  [RFQ]

APC-850-1x4-100
(Stock NO. Not entered)
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パラメータ


特長

● Large photosensitive area

● Low capacitance

● Low dark current

● High responsivity

仕様

Unless otherwise specified, measurements are taken at 25°C

Parameter

Symbol

Test Condition

Min.

Typ.

Max.

Unit

Operating Temperature

To


0


75

°C

Storage Temperature

Ts


-40


85

°C

Operating Wavelength

λ



850


nm

Bias Voltage

Vb


3


6

V

Active Area Diameter

Φ



32


μm

Responsivity

R

λ = 1550 nm, Vb = 3 V


0.6


A/W

Dark Current

Id

Vb = 3 V


0.1

1

nA

Capacitance

C

Vb= 3 V


100


fF

Series Resistance

Rs



10


Ω

3 dB Bandwidth (15 Ω TIA)

BW

Ps, o= 0 dBm, Vb = 3 V


32


GHz


寸法およびピン定義

850nm 100Gb.png

Appearance

Min. Value

Typical Value

Max. Value

Unit

Length

1050

1100

1150

μm

Width

240

290

340

μm

Thickness

185

200

215

μm


Precautions for Use

● Necessary ESD protection measures should be taken to prevent the chip from electrostatic damage.

● Extreme care is required when handling the chip, and vacuum suction is recommended for chip handling.

● Parameters such as wire bonding force and temperature must be set carefully to avoid damaging the chip.


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