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  • 850nm 100Gb/s InGaAs 1×4アレイフォトディテクターチップ

    • 850nm 100Gb/s InGaAs 1×4アレイフォトディテクターチップ     


    本製品は、光電変換を行う 850 nm 100 Gb/s InGaAs 1×4 アレイフォトディテクタチップ です。
    マルチモードトランシーバや光受信器などの用途に適しています。




    製品 モデル


    名称 モデル 価額
    850 nm 100 Gb/s InGaAs 1×4 アレイフォトディテクタチップ   [PDF]  [RFQ]

    APC-850-1x4-100
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    パラメータ


    特長

    ·  大きな感光面積

    ·  低容量

    ·  低暗電流

    ·  高感度


    仕様

    特に指定がない限り、測定は 25°C で行っています。

    パラメータ

    記号

    試験条件

    最小値.

    典型値

    最大値

    単位

     動作温度

    To


    0


    75

    °C

     保存温度

    Ts


    -40


    85

    °C

    動作波長

    λ



    850


    nm

    バイアス電圧

    Vb


    3


    6

    V

     有効受光径

    Φ



    32


    μm

    応答度

    R

    λ = 1550 nm, Vb = 3 V


    0.6


    A/W

    暗電流

    Id

    Vb = 3 V


    0.1

    1

    nA

     静電容量

    C

    Vb= 3 V


    100


    fF

      直列抵抗

    Rs



    10


    Ω

     3 dB帯域幅（15 Ω TIA使用時）

    BW

    Ps, o= 0 dBm, Vb = 3 V


    32


    GHz


    寸法およびピン定義

    850nm 100Gb.png


     外観

    最小値

    典型値

    最大値

    単位

     長さ

    1050

    1100

    1150

    μm

     幅

    240

    290

    340

    μm

      厚さ

    185

    200

    215

    μm

     

    使用上の注意

    ●チップの静電破壊を防ぐため、必要な ESD 保護対策 を必ず行ってください。

    ●チップを取り扱う際は 極めて注意が必要 であり、チップの取り扱いには 真空吸着 を推奨します。

    ●ワイヤボンディングの力や温度などのパラメータは慎重に設定し、チップを損傷しないようにしてください。




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    10+
    10年以上の実績
    50+
    50か国以上と取引
    10000+
    累計1万台以上販売
    30+
    30件以上の特許取得実績
    1
    自社半導体ラボ保有
    10
    10種類以上の先進光学ソリューション提供
    住所: シンガポール 288 Woodlands Loop #04-00, 738100 メール: info@ld-pd.com 電話: (+65)31638599 FAX: (+65)31588700 著作権: © 2012-2025 LD-PD PTE. LTD. 無断転載禁止 LD-PD PTE. LTD. is proud to be RoHS certified through SGS and ISO9001 certified through GIC.
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