高感度 InGaAs APD フォトディテクタモジュール

概要
特長
仕様
応用 / 用途

APDモジュールは、レーザーレーダー、測距、データ伝送、バイオメディカル分析など、さまざまな用途で極めて微弱な光信号を迅速かつ容易に検出できます。

本モジュールは、シリコンまたはInGaAs製の低ノイズ雪崩フォトダイオードをベースに、内蔵プリアンプと高電圧電源を備えています。温度補償機能により、広い動作温度範囲においても一定のゲインで安定した動作が可能です。

製品モデル

名称	モデル	説明	パラメータ	価額
InGaAs APD フォトダイオードモジュール [PDF] [RFQ]	AP-50M	応答波長: 900–1700 nm、帯域幅：AC～50M、材料: InGaAs、検出器感度: 9A/W 、モジュール、100 × 100 × 25 mm	応答波長: 900-1700nm リードタイム: 在庫あり	[お問い合わせください] Call us
InGaAs APD フォトダイオードモジュール [PDF] [RFQ]	AP-100M	応答波長: 900–1700 nm、帯域幅：AC～100M、材料: InGaAs、検出器感度: 9A/W 、モジュール、100 × 100 × 25 mm	応答波長: 900-1700nm リードタイム: 在庫あり	[お問い合わせください] Call us
InGaAs APD フォトダイオードモジュール [PDF] [RFQ]	AP-200M	応答波長: 900–1700 nm、帯域幅：AC～200M、材料: InGaAs、検出器感度: 9A/W 、モジュール、100 × 100 × 25 mm	応答波長: 900-1700nm リードタイム: 在庫あり	[お問い合わせください] Call us
InGaAs APD フォトダイオードモジュール [PDF] [RFQ]	AP-350M	応答波長: 900–1700 nm、帯域幅：AC～350M、材料: InGaAs、検出器感度: 9A/W 、モジュール、100 × 100 × 25 mm	応答波長: 900-1700nm リードタイム: 在庫あり	[お問い合わせください] Call us
InGaAs APD フォトダイオードモジュール [PDF] [RFQ]	AP-1.6G	応答波長: 900–1700 nm、帯域幅：AC-1.6G、材料: InGaAs、検出器感度: 9A/W 、モジュール、100 × 100 × 25 mm	応答波長: 900-1700nm リードタイム: 在庫あり	[お問い合わせください] Call us
InGaAs APD フォトダイオードモジュール [PDF] [RFQ]	AP-800M	応答波長: 900–1700 nm、帯域幅：AC-800M、材料: InGaAs、検出器感度: 9A/W 、モジュール、100 × 100 × 25 mm	応答波長: 900-1700nm リードタイム: 在庫あり	[お問い合わせください] Call us
InGaAs APD フォトダイオードモジュール [PDF] [RFQ]	APD-350M	応答波長: 900–1700 nm、帯域幅：DC～350M、材料: InGaAs、検出器感度: 9A/W 、モジュール、100 × 100 × 25 mm	応答波長: 900-1700nm リードタイム: 在庫あり	[お問い合わせください] Call us
InGaAs APD フォトダイオードモジュール [PDF] [RFQ]	APD-200M	応答波長: 900–1700 nm、帯域幅：DC～200M、材料: InGaAs、検出器感度: 9A/W 、モジュール、100 × 100 × 25 mm	応答波長: 900-1700nm リードタイム: 在庫あり	[お問い合わせください] Call us
InGaAs APD フォトダイオードモジュール [PDF] [RFQ]	APD-100M	応答波長: 900–1700 nm、帯域幅：DC～100M、材料: InGaAs、検出器感度: 9A/W 、モジュール、100 × 100 × 25 mm	応答波長: 900-1700nm リードタイム: 在庫あり	[お問い合わせください] Call us
InGaAs APD フォトダイオードモジュール [PDF] [RFQ]	APD-50M	応答波長: 900–1700 nm、帯域幅：DC～50 MHz、材料: InGaAs、検出器感度: 9A/W 、モジュール、100 × 100 × 25 mm	応答波長: 900-1700nm リードタイム: 在庫あり	[お問い合わせください] Call us

パラメータ

特長

· 上面照射型平面 APD

· 低暗電流

· 高応答度

· 高信頼性

· 高利得

· 高電圧電源内蔵

· APD 温度制御

· 低ノイズ絶縁電源内蔵

仕様

PN#	AP-50M	AP-100M	AP-200M	AP-350M	AP-800M	AP-1.6G	単位
検出器タイプ		InGaAs
波長	800-1700	800-1700	800-1700	800-1700	800-1700	800-1700	㎚
帯域幅	AC-50M	AC-100M	AC-200M	AC-350M	AC-800M	AC-1.6G	HZ
応答	9	9	9	9	9	9	A/W
トランスインピーダンス増幅	300k	300k	50k	50k	50k	300k	V/A
出力インピーダンス	50	50	50	50	50	50	Ω
飽和出力	4.2	4.2	4.2	4.2	4.2	4.2	µW
NEP	0.46	0.46	0.46	0.46	0.46	0.46	pW/Sqrt(Hz)
出力結合	DC/AC	DC/AC	DC/AC	DC/AC	AC	AC
電圧	5	5	5	5	12	12	V
電流	3(max)	3(max)	3(max)	3(max)	3(max)	3(max)	A
光入力	FC/APC	FC/APC	FC/APC	FC/APC	FC/APC	FC/APC
RF出力	SMA	SMA	SMA	SMA	SMA	SMA
寸法	10010025	10010025	10010025	10010025	10010025	10010025	mm

応用 / 用途

●Qスイッチレーザの出力監視

●モード同期レーザの出力監視

●外部変調 CW レーザの出力監視

●時間領域および周波数応答測定

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