特長
小さな遠方ビーム:
垂直および水平の遠方ビーム角は、典型値で20度です。
低消費電力:
出力50 mW、動作温度75℃の場合の典型消費電力は350 mW未満です。
高温でも高光出力:
バイアス電流250 mA、動作温度75℃で最大50 mWの光出力が可能です。
電気・光学特性（E/O特性）
電気・光学特性（基板温度 Tsub = 25°C、特に記載のない限り連続波（CW）動作）
パラメータ | 記号 | 最小値 | 典型値 | 最大値 | 単位 |
中心波長 | λ | 1306 | 1310 | 1316 | nm |
SMSR | SMSR | 35 | 45 |
| dB |
しきい値電流 | Ith |
| 20 | 40 | mA |
動作電流 | Iop |
| 230 | 250 | mA |
チップ出力光パワー | Pf | 50 | 70 |
| mW |
量子効率 | η | 0.2 | 0.3 |
| mW/mA |
電流チューニング係数 | ∆λ/∆I |
| 0.015 |
| nm/mA |
温度チューニング係数 | ∆λ/∆T |
| 0.12 |
| nm/K |
順方向電圧 | Vf |
| 1.3 | 2 | V |
キンク偏差 | KINK | 30% |
ビーム発散角（平行方向） | ϑ// |
| 19 |
| Deg |
ビーム発散角（垂直方向） | ϑ⊥ |
| 17 |
| Deg |
抵抗 | Rs |
| 8 |
| ohm |
線幅 | △λ |
| 3 |
| MHZ |
記号 | パラメータ | 試験条件 | 最小値 | 典型値 | 最大値 | 単位 |
Im | しきい値電流 | CW，T=25°C |
| 20 | 40 | mA |
Po | 出力光パワー | CW，lth+20mA, T=25°C | 4 | 6 |
| mW |
CW, Ith + 200 mA, T=25 °C, TEC controlled. | 50 | 80 |
|
SE | スロープ効率 | CW, Ith + 20 mA, T=25 °C | 0.2 | 0.3 |
| W/A |
Vop | 動作電圧 | CW, Ith + 20 mA |
| 1.2 | 1.5 | V |
CW, Ith + 200 mA, TEC controlled |
| 2.5 | 3.5 |
△υ | 線幅 | CW, Ith + 200 mA, TEC controlled |
| 3 | 10 | MHz |
RIN | 相対強度雑音（RIN） | CW, Ith + 200 mA, TEC controlled, @1GHz |
| -150 | -145 | dB/Hz |
λc | 中心波長 | CW, Ith + 20 mA | 1306 | 1310 | 1316 | nm |
SMSR | SMSR | CW, Ith + 20 mA | 35 | 40 |
| dB |
ϑ// | ビーム発散角（平行方向） | CW, Ith + 20 mA |
| 19 |
| Deg. |
ϑ丄 | ビーム発散角（垂直方向） | CW, Ith + 20 mA |
| 17 |
| Deg. |
取り扱い手順
1. 推奨ボンディング条件
ボンディング温度：350℃
ボンディング力：30グラム（40グラムを超えないこと）
ボンディング力と温度は徐々に加えること
ボンディング時間：≤10秒
2. 推奨バーンイン条件
条件1:
チップヒートシンク温度：100℃
電流：100 mA
時間：24時間
合格基準：BI 0時間 LIV1；BI 24時間 LIV2、LIV2とLIV1を比較
ΔIth (T=25℃) ≤1 mA、ΔPf (T=25℃) ≤10％
条件2:
チップヒートシンク温度：100℃
電流：100 mA
時間：24時間＋48時間
合格基準：BI 24時間 LIV1；BI 24時間＋48時間 LIV2、LIV2とLIV1を比較
パッケージサイズ
外形図
Unit (μm)
![1Q42FV6$SW`@Y_BGPB@])2T_tmb.jpg](/Uploads/Editor/Picture/2023-09-14/6502b0e9c1db0.jpg "1Q42FV6$SW`@Y_BGPB@])2T_tmb.jpg")
絶対最大定格
項目 | 単位 | 最小値 | 典型値 | 最大値 |
ケース温度 | ℃ | -5 | 25 | 70 |
チップ温度 | ℃ | +10 | 25 | 50 |
動作電流 | mA | 0 | 400 | 500 |
順方向電圧 | V | 0.8 | 1.2 | 1.8 |
TEC電流 | A | - |
| 1.2 |
逆方向電圧（LD） | V | - | - | 2.0 |
逆方向電圧(PD) | V | - | - | 20 |
注意:
1.絶対最大定格を超える応力は、デバイスに永久的な損傷を与える可能性があります。
2.これらはあくまで絶対最大応力定格であり、データシートの動作条件を超えた場合の機能的な動作を保証するものではありません。
3.絶対最大定格に長時間さらされると、デバイスの信頼性に悪影響を与える可能性があります。
応用 / 用途
· 通信（テレコミュニケーション）
· データ通信
· ストレージエリアネットワーク（SAN）
· 都市型通信網（MAN）
· 光パスネットワーク（PON）
注文情報
TDLAS-DFB Chips-☆-A8▽-W□□□□
☆: 出力
A: 50mW
B: 100mW
▽: 波長許容範囲
1: ±1nm
2: ±2nm
□□□□: 波長
1306: 1306nm
*****
1316: 1316nm
