Si APD バランスフォトディテクタ

概要
特長
仕様
応用 / 用途

Siアバランシェ光検出モジュールは、低ノイズAPD検出器、低ノイズ広帯域トランスインピーダンスアンプ、超低ノイズ絶縁電源、高電圧電源を統合しています。絶縁電源により、外部電源の影響を受けずに出力信号を維持します。APDの温度補償により、検出モジュールの安定性が向上します。アバランシェ光検出器は、高ゲイン、高感度、高帯域幅、低ノイズが特長です。

製品モデル

名称	モデル	説明	パラメータ	価額
2G Si APD バランス　フォトディテクタ [PDF] [RFQ]	BAPD-2G-B-FA	応答波長: 400–1100 nm、帯域幅：2G 、材料: Si、検出器感度：25A/W@850nm、光入力：FC/APC	応答波長: 400-1100nm 帯域幅: 2GHz リードタイム: 約2～3週間	[お問い合わせください] Call us
1G Si APD バランス　フォトディテクタ [PDF] [RFQ]	BAPD-1G-B-FA	応答波長: 400–1100 nm、帯域幅：1G 、材料: Si、検出器感度：25A/W@850nm、光入力：FC/APC	応答波長: 400-1100nm 帯域幅: 1GHz リードタイム: 約2～3週間	[お問い合わせください] Call us
300M Si APD バランス　フォトディテクタ [PDF] [RFQ]	BAPD-300M-B-FA	応答波長: 400–1100 nm、帯域幅：300M 、材料: Si、検出器感度：25A/W@850nm、光入力：FC/APC	応答波長: 400-1100nm 帯域幅: 300MHz リードタイム: 約2～3週間	[お問い合わせください] Call us
200M Si APD バランスフォトディテクタ [PDF] [RFQ]	BAPD-200M-B-FA	応答波長: 400–1100 nm、帯域幅：200M 、材料: Si、検出器感度：25A/W@850nm、光入力：FC/APC	応答波長: 400-1100nm 帯域幅: 200MHz リードタイム: 約2～3週間	[お問い合わせください] Call us
100M Si APD バランス　フォトディテクタ [PDF] [RFQ]	BAPD-100M-B-FA	応答波長: 400–1100 nm、帯域幅：100M 、材料: Si、検出器感度：25A/W@850nm、光入力：FC/APC	応答波長: 400-1100nm 帯域幅: 100MHz リードタイム: 約2～3週間	[お問い合わせください] Call us
2G　Si APD バランス　フォトディテクタ [PDF] [RFQ]	BAPD-2G-B-FS	応答波長: 400–1100 nm、帯域幅：2G 、材料: Si、検出器感度：25A/W@850nm、光入力：フリースペース	応答波長: 400-1100nm 帯域幅: 2GHz リードタイム: 約2～3週間	[お問い合わせください] Call us
1G　Si APD バランス　フォトディテクタ [PDF] [RFQ]	BAPD-1G-B-FS	応答波長: 400–1100 nm、帯域幅：1G 、材料: Si、検出器感度：25A/W@850nm、光入力：フリースペース	応答波長: 400-1100nm 帯域幅: 1GHz リードタイム: 約2～3週間	[お問い合わせください] Call us
300M Si APD バランス　フォトディテクタ [PDF] [RFQ]	BAPD-300M-B-FS	応答波長: 400–1100 nm、帯域幅：300M 、材料: Si、検出器感度：25A/W@850nm、光入力：フリースペース	応答波長: 400-1100nm 帯域幅: 300MHz リードタイム: 約2～3週間	[お問い合わせください] Call us
200M Si APD バランス　フォトディテクタ [PDF] [RFQ]	BAPD-200M-B-FS	応答波長: 400–1100 nm、帯域幅：200M 、材料: Si、検出器感度：25A/W@850nm、光入力：フリースペース	応答波長: 400-1100nm 帯域幅: 200MHz リードタイム: 約2～3週間	[お問い合わせください] Call us
100M Si APD バランス　フォトディテクタ [PDF] [RFQ]	BAPD-100M-B-FS	応答波長: 400–1100 nm、帯域幅：100M 、材料: Si、検出器感度：25A/W@850nm、光入力：フリースペース	応答波長: 400-1100nm 帯域幅: 100MHz リードタイム: 約2～3週間	[お問い合わせください] Call us

パラメータ

特長

· 低ノイズと高ゲイン

· 内蔵高電圧電源

· 温度補償

· コンパクト構造

· 低ノイズアイソレーション電源

仕様

製品モデル	BAPD-100M-B	BAPD-200M-B	BAPD-300M-B	BAPD-1G-B	BAPD-2G-B	単位
検出器モデル	Si
波長	400～1100					nm
帯域幅	100M	200M	300M	1G	2G	Hz
検出器感度	25	25	25	25	25	A/W@850nm
トランスインピーダンスゲイン	300K	300K	300K	300K	300K	V/W
飽和入力光パワー	13	13	13	13	13	uW
NEP（等価ノイズ電力）	0.18	0.18	0.18	0.18	0.2	pW/√(Hz)
出力インピーダンス	50	50	50	50	50	Ω
出力結合方式	DC/AC	DC/AC	DC/AC	AC	AC
供給電圧	5	5	5	12	12	V
供給電流	0.5(max)	0.5(max)	0.5(max)	0.5(max)	0.5(max)	A
光入力	FC/APC (or Free Space)
高周波出力	SMA
形状／サイズ	809025					mm

応用 / 用途

· 光ファイバーセンシング

· レーザー距離計測

· 分光測定

Si APD バランスフォトディテクタ

製品 モデル

パラメータ

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