8〜40 GHz マイクロ波フォトニクス受信機

概要
特長
仕様
パッケージサイズ
応用 / 用途

LD-PD manufactures a wide range of component photoreceivers with wide bandwidths up to 40 GHz. The MPR0030 Microwave Photonics Receiver extends link response to greater than 30 GHz via direct optical-to-analog RF conversion for signal remoting, communications, radar and information processing applications.

The unit consists of a high speed InGaAs PIN photodiode coupled to the RF output connector. It includes internal bias decoupling and can operate over a wide range of supply voltages (+3 to +15V). The detector response covers 1300 to 1600 nm. It is pigtailed with 900µm jacketed, single mode (ITU-T G.652.D compliant) fiber and can be terminated with a variety of optical connector options. The entire unit is contained in a sealed housing and weighs less than 25 grams.

製品モデル

ネーム	モデル	説明	パラメータ	価額
40GHz　マイクロ波フォトニクス受信機 [PDF] [RFQ]	PL-MPR0040 Stock NO.: A80170063	応答スペクトル：1300〜1600 nm、3dB帯域幅：40GHz、感度：0.8 A/W @ 1.55 μm、材質：InGaAs	応答波長: 1300-1600nm 材質: InGaAs 帯域幅: 40GHz リードタイム: 4-6 weeks	[お問い合わせください] Call us
8GHz　マイクロ波フォトニクス受信機 [PDF] [RFQ]	PL-MPR0008 Stock NO.: A80170062	応答スペクトル：1300〜1600 nm、3dB帯域幅：8GHz、感度：0.8 A/W @ 1.55 μm、材質：InGaAs	応答波長: 1300-1600nm 材質: InGaAs 帯域幅: 8GHz リードタイム: 4-6 weeks	[お問い合わせください] Call us
12GHz　マイクロ波フォトニクス受信機 [PDF] [RFQ]	PL-MPR0012 Stock NO.: A80170059	応答スペクトル：1300〜1600 nm、3dB帯域幅：12 GHz、感度：0.8 A/W @ 1.55 μm、材質：InGaAs	応答波長: 1300-1600nm 材質: InGaAs 帯域幅: 12GHz リードタイム: 4-6 weeks	[お問い合わせください] Call us
18GHz　マイクロ波フォトニクス受信機 [PDF] [RFQ]	PL-MPR0018 Stock NO.: A80170058	応答スペクトル：1300〜1600 nm、3dB帯域幅：18 GHz、感度：0.8 A/W @ 1.55 μm、材質：InGaAs	応答波長: 1300-1600nm 材質: InGaAs 帯域幅: 18GHz リードタイム: 4-6 weeks	[お問い合わせください] Call us
30GHz　マイクロ波フォトニクス受信機 [PDF] [RFQ]	PL-MPR0030 Stock NO.: A80170057	応答スペクトル：1300〜1600 nm、3dB帯域幅：30 GHz、感度：0.8 A/W @ 1.55 μm、材質：InGaAs	応答波長: 1300-1600nm 材質: InGaAs 帯域幅: 30GHz リードタイム: 4-6 weeks	[お問い合わせください] Call us

パラメータ

特長

● Greater than 40GHz RF bandwidth

● DC Coupled

● Compact lightweigth design

● High responsivity

● Positive supply voltage

● 50Ω output impedance

仕様

Main Characteristics

Parameters	Symbol	Test Conditions	Specifications	Units
Resposivity	Re	VR=5V, λ=1.55μm, Pin=1mW	≥0.8	A/W
3dB bandwidth	f_3dB	VR=5V, λ=1.55μm, Pin=1mW, RFin=-10dB	DC～30	GHz
Dark Current	ID	VR=5V, Pin=0mW	≤20	nA
Saturated input optical power	PS	VR=5V, λ=1.55μm, fc=4 GHz, RFin=-10dB	≥10	mW

Absolute maximum rating

Parameters		Values	Units
Storage temperature range	T_STG	-45～+85	℃
Operating temperature range2	TC	-40～+70	℃
Bias voltage	VR	≤9	V
Input power1	Pin（VR=5V）	≤20	mW
Welding Temperature	Tsolder	260（10s）	℃
Electrostatic discharge sensitivity	ESD	≥250	V

Recommended Operation Conditions

Parameters	Symbol	Values	Units
Bias voltage	VR	3~5	V
Input Optical power	Pin	1~8	mW

Mechanical Characteristics

RF Connector	3.5 mm (SMA) female
Fiber Pigtail	G.652.D, single mode 900um buffer, 1 m typ³
Fiber Connector	FC/APC⁴
Bias Connectors	0.018" dia. Kovar pins with Sn/Pb coating
Max Weight (Grams)	25

Note:

1. Exceeding maximum optical input power may damage the device.

2. Military temperature range available. Consult factory.

3. Other fiber options available. Consult factory.

4. Other connector options available. Consult factory.

Typical Link Response

30.1.png

Input Saturation optical power curve

30.2.png

(Optical Power UNIT:dBm)

パッケージサイズ

Mechanical Outline(Unit in mm)

30.3.png

応用 / 用途

● Signal remoting,

● Communications,

● Radar and information processing

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