20 / 40 / 60 GHz 薄膜ニオブ酸リチウム Q モジュレータチップ     


本製品はシリコンベース薄膜ニオブ酸リチウム(TFLN)に基づくIQ変調を実現しており、3 dB帯域幅は≥20/40/60 GHz、半波長電圧は≤3.5 Vです。デジタル通信、マイクロ波フォトニクスおよび関連技術分野に適しています。
パラメータ



製品 モデル


名称 モデル 価額
60GHz 薄膜ニオブ酸リチウム Q モジュレータチップ   [PDF]  [RFQ]

WPD-OE0003H
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40GHz 薄膜ニオブ酸リチウム Q モジュレータチップ   [PDF]  [RFQ]

WPD-OE0002H
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20GHz 薄膜ニオブ酸リチウム Q モジュレータチップ   [PDF]  [RFQ]

WPD-OE0001H
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パラメータ


特長

● 小型設計、低挿入損失、低半波電圧
● 同方向伝搬入出力(同一側入出光構造)


主要パラメータ

チップ仕様(特に記載のない限り、すべての測定値は25 °C条件下)

パラメータ

記号

試験条件

最小値

代表値

最大値

単位

動作波長

λλ


1550 (C-band)

nm

挿入損失

IL

1550 nm 0 dBm CW


6.5

7

dB

RF半波長電圧(Vπ)

1550 nm CW fmod=50kHz 


3.4

3.5

V

3 dB帯域幅

S21


20 / 40 / 60

GHz

変調消光比

ER


20



dB

RFリターンロス

S11




-10

Ω

熱チューニング抵抗

RH



80


mW

熱チューニングPnn



50


μm

入出力導波路モードフィールド径

MFD



9


μm

入出力導波路ピッチ

Pitch



1000


μm


絶対最大定格

パラメータ

記号

定格

単位

入力光パワー

Ps.o

23

dBm

入力RFパワー

Ps.rf

23

dBm

熱チューニングバイアス電圧

VH

±8

V

動作温度

Tw

-40 ~ +85

°C

保存温度

Ts

-40 ~ +85

°C


寸法およびピン定義

(Other structural dimensions can be customized)

nsl.png

nsl1.png

ピン番号

記号

備考

GSG1

GSG1

Q用RF接続

GSG2

GSG2

I用RF接続

PIN1

Min

入力MPD(モニタ光電力)

PIN2

HQ

Q用熱チューニング

PIN3

HQ

Q用熱チューニング

PIN4

HP

P用熱チューニング

PIN5

HP

P用熱チューニング

PIN6

HI

I用熱チューニング

PIN7

HI

I用熱チューニング

PIN8

MInG

入力MPDカソード

PIN9

MOut

出力MPDアノード(Pモニタバイアス)

PIN10

MOutG

出力MPDカソード

PIN11

MQ

Q MPDアノード(Qモニタバイアス)

PIN12

MQG

Q MPDカソード

PIN13

MI

I MPDアノード(Iモニタバイアス)

PIN14

MIG

I MPDカソード

Output

Output

変調器光出力ポート

Input

Input

変調器光入力ポート


使用上の注意

静電気によるチップ損傷を防ぐため、適切なESD保護対策を実施してください。
光導波路には触れないよう十分注意してください。接触により伝送効率に影響を及ぼす可能性があります。
はんだ付け時の圧力、温度などのパラメータは厳密に管理し、チップの損傷を避けてください。


応用 / 用途

● スペクトル解析
● 光干渉断層撮影(OCT)
● 光検出

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