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    • 780nm DFB レーザー 14ピンバタフライパッケージ     


    PL-DFB-0780-A-A81-PA
    LD-PD 製 780 nm DFB レーザーダイオードモジュール は、コストパフォーマンスに優れ、高コヒーレンスなレーザー光源です。
    DFB レーザーダイオードチップは、TEC および PD を内蔵した業界標準の 14 ピン・バタフライ型ハーメチックパッケージに実装されています。



    製品 モデル


    名称 モデル 価額
    780nm DFB PM レーザーアイソレータ付き   [PDF]  [RFQ]

    PL-DFB-0780-A-A81-PA
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    780nm DFB SM レーザー   [PDF]  [RFQ]

    PL-DFB-0780-B-A81-SA-WOI
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    780nm DFB PM レーザー   [PDF]  [RFQ]

    PL-DFB-0780-B-A81-PA-WOI
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    パラメータ


    特長

    ·  狭い線幅 < 2MHz

    ·  優れた波長制御と安定性

    ·  業界標準の14ピンバタフライパッケージ

    ·  モードホップフリー調整

    ·  優れた信頼性

    ·  顧客指定の波長が利用可能


    レーザー仕様

    電気・光学特性（基板温度 Tsub = 25°C、特に記載のない限り連続波（CW）動作）

    パラメータ

    記号

    最小値

    典型値

    最大値

    単位

    中心波長

    λ

    779

    780

    781

    nm

    SMSR

    SMSR

    30

    40


    dB

    しきい値電流

    Ith


    45

    50

    mA

    動作電流

      Iop


    150

    250

    mA

    チップ出力光パワー

    Pf

    20

    35

    50

    mW

    量子効率

    η

    0.08

    0.12


    mW/mA

    電流チューニング係数

    ∆λ/∆I


    0.015


    nm/mA

    温度チューニング係数

    ∆λ/∆Ｔ


    0.12


    nm/K

    順方向電圧

    Vf


    1.3

    2

    V

    サーミスタ抵抗

    RT

    9.5

    10

    10.5

    KΩ

    サーミスタ温度係数



    -4.4


    %/°C

    コネクタ

    HI780+FC/APC


    スペクトル


    UGXCMRYU.jpg


    チューニング特性

    O5EKL4[`Z7C3ZATY]`AXM_U.jpg


    DFB線幅テスト結果


    3F}3~5GMTW8F9$)8_GB@VSG.png


    L-I特性


    778.png


    Rinレベル試験結果

    42e3f31c8ceffc40eb6bff8e53a1543f.jpg

    パッケージサイズ

    pk.png

    ピン定義

    -56e5388b18cfc12b_副本.jpg


    1

    TEC (+)

    8

    N/C

    2

    サーミスタ

    9

    N/C

    3

    PD モニタアノード (-)

    10

    レーザアノード(+)

    4

    PDモニタカソード(+)

    11

    レーザカソード (–)

    5

    サーミスタ

    12

    N/C

    6

    N/C

    13

    ケース接地

    7

    N/C

    14

    TEC(–)

     

    絶対最大定格

    項目

    単位

    最小値

    典型値

    最大値

    ケース温度

    ℃

    -5

    25

    70

    チップ温度

    ℃

    +10

    25

    40

    動作電流

    mA

    0

    150

    250

    順方向電圧

    V

    0.8

    1.2

    2.1

    TEC電流

    A

    -

    1.2

    1.2

    逆方向電圧（LD）

    V

    -

    -

    2.0

    逆方向電圧（PD）

    V

    -

    -

    20



    応用 / 用途

    ·  可変励起ダイオードレーザー吸収分光法（TDLAS）

    ·  CPTアプリケーション


    注文情報

    PL-DFB-□□□□-☆-A8▽-XX

    □□□□：波長

    780: 780.0nm

    1270: 1270nm

    1532: 1532nm

    1392: 1392nm

    1512: 1512nm

    1567: 1567nm

    *****

    1653.7: 1653.7nm

    ☆: 出力

    A: 7mW

    B: 30mW

    C: 50mW

    ▽: 波長許容範囲

    1: ±1nm

    2: ±2nm

    XX: ファイバおよびコネクタタイプ

    SA=HI780+ FC/APC

    SP=HI780+ FC/PC

    PP=PM 850Fiber+ FC/PC

    PA=PM 850Fiber+ FC/APC

     




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