1064 nm 狭線幅シングル周波数レーザーモジュールは、高性能半導体レーザーチップ技術を中核に、先進的なパッケージング技術と低ノイズ・高精度な回路設計を融合した、高性能な半導体レーザー光源モジュールです。
本モジュールは、狭線幅でありながら高い光出力を実現し、優れた波長安定性と低ノイズ特性を備えています。また、低消費電力設計と高い信頼性により、扱いやすく安定した動作が可能です。
レーザー測距(LiDAR)やコヒーレント検出、光ファイバセンシング、医療フォトニクス、研究開発用機器、3D マッピングなど、幅広い分野での応用が可能であり、用途やシステム要件に応じたカスタマイズにも柔軟に対応します。
本製品は、シリコンフォトニクス集積チップ技術、高性能半導体レーザー技術、ならびに高精度半導体パッケージング技術を採用することで、優れた性能と高い実用性を両立しています。
特長
● シリコンフォトニクス集積チップ技術
● 高性能半導体レーザー技術
● 高精度半導体パッケージング技術
| 名称 | モデル | 説明 | パラメータ | 価額 |
|---|
● 狭線幅(≤50 kHz)
● 単一周波数、中心波長約1064nm
● 光出力および波長の安定性
● 高出力光
● 低RIN(相対強度雑音)
● 低消費電力
● 低ノイズかつ高精度回路設計
光学および電気特性(TLD = 30 ℃)
仕様パラメータ | 記号 | 条件 | 最小値 | 典型値 | 最大値 | 単位 |
しきい値電流 | Ith | CW | 3 | mA | ||
中心波長 | λC | 1064 | nm | |||
ファイバ出力光パワー | Pf | CW | 10 | mW | ||
ローレンツ線幅* | FWHM | CW | 50 | kHz | ||
相対強度雑音(RIN) | R IN | ≥1kHz | -135 | dB/Hz | ||
SMSR | SMSR | CW | 55 | dB | ||
偏波消光比 | PER | CW | 20 | dB | ||
光アイソレーション | ISO | 50 | dB | |||
TEC 設定温度 | TTEC | CW | 15 | 45 | ℃ | |
動作温度 | To | -20 | 60 | ℃ | ||
動作湿度 | % | 5 | 85 | % |
※ ローレンツ線幅は遅延自己ヘテロダイン法により測定しています。
スペクトル測定チャート

代表的な線幅:18 kHz

出力安定性(cw, 25℃)

波長安定性(cw, 25℃)

PER測定(CW ,25℃)

寸法

電気仕様
項目 | パラメータ | 単位 |
外観寸法 | L ×W × H =101.8 × 57.20× 12.80 | mm |
内蔵ピグテールタイプ | SMF/PMF | |
コネクタ | FC/APC | |
電源 | DC 5V/3A | |
データインターフェース | DB9 定義 | |
安全制御 | インターロック |

ピン定義
PIN# | 名称 | 機能と注意 |
1 | Vcc | 入力電源:5V / 3A、低ノイズ(推奨リプル<5mV) |
2 | Tx(出力) | データ出力:3.3V TTL(デフォルト) |
3 | Rx(入力) | データ入力:3.3V TTL(デフォルト) |
4 | NC | 未接続 |
5 | Gnd | GND |
6 | NC | 未接続 |
7 | NC | 未接続 |
8 | NC | 未接続 |
9 | イネーブル(入力) | モジュール再起動インターフェース:デフォルト低レベル、高レベルで再起動 |
● LiDAR(ライダー)
● コヒーレント検出
● 光ファイバセンシング
● 医療用光子応用
● 科学研究機器
● 3Dマッピング