感光波長範囲

800～ 1700nm

感光部サイズ

φ1.0mm

Φ0.5mm

Φ0.2mm

Φ0.1mm

Φ0.08mm

Φ0.05mm

APD バイアス電圧調整範囲

0 ～55 V

0 ～ 55 V

0 ～55 V

0 ～55 V

0 ～55 V

0 ～55 V

APD 利得 M

0～ 30

0～ 30

0～ 30

0～ 30

0～ 30

0～ 30

応答時定数

5 ns

1 ns

300 ps

200 ps

300 ps

150 ps

帯域幅範囲

DC～12MHZ

利得範囲

Hi-Z load: 1.51kV/A～4.75MV/A; 50Ω load: 0.75kV/A～2.38 MV/A

信号振幅

Hi-Z load: 0～10V; 50Ω load: 0～5V

利得調整方式

 回転ギア調整：0～70 dB、ギアごとに10 dB、合計8段階

単回転ポテンショメータでAPD自身の利得を調整；帯域幅は利得に反比例

感光面深さ

0.05" (1.2 mm)

検出器正味重量

0.11kg

動作温度

10～40℃

保存温度

-20～ 70℃

外観寸法

2.78" X 2.21" X 1.20" (70.6 mm X 56.2 mm X 30.5 mm)

NEP（等価ノイズ光パワー）

2.67～71.7 pW/Hz1/2

電源インターフェース

電源スイッチ

信号インターフェース

利得調整

サポートロッドインターフェース

光インターフェース

LUMBERG

LEDインジケータ付きスライドスイッチ

BNCメスソケット

単回転ポテンショメータ

M4 X 2

SM1 X 1

SM0.5 X 1

ゲイン (Hi-Z)

1.51X10³V/A

ゲイン(Hi-Z)

4.75X10³V/A

ゲイン(Hi-Z)

1.5X10⁴V/A

ゲイン (Hi-Z)

4.75X10⁴V/A

Gain (50Ω)

0.75X10³V/A

ゲイン (50Ω)

2.38X10³V/A

ゲイン (50Ω)

0.75X10⁴V/A

ゲイン (50Ω)

2.38X10⁴V/A

帯域幅 (BW)

12MHz

帯域幅  (BW)

1.6MHz

帯域幅(BW)

1MHz

帯域幅(BW)

260kHz

ノイズ (RMS)

258μV

ノイズ (RMS)

192μV

ノイズ (RMS)

207μV

ノイズ (RMS)

211μV

信号バイアス

±8mV(Typ.),±12mV(Max)

40dB

50dB

60dB

70dB

ゲイン(Hi-Z)

1.51X10⁵V/A

ゲイン(Hi-Z)

4.75X10⁵V/A

ゲイン (Hi-Z)

1.5X10⁶V/A

ゲイン (Hi-Z)

4.75X10⁶V/A

ゲイン(50Ω)

0.75X10⁵V/A

ゲイン (50Ω)

2.38X10⁵V/A

ゲイン(50Ω)

0.75X10⁶V/A

ゲイン(50Ω)

2.38X10⁶V/A

帯域幅th (BW)

90KHz

帯域幅 (BW)

28KHz

帯域幅 (BW)

9kHz

帯域幅 (BW)

3kHz

ノイズ (RMS)

214μV

ノイズ (RMS)

234μV

ノイズ(RMS)

277μV

ノイズ(RMS)

388μV

信号バイアス

±8mV(Typ.) ，±12mV(Max)

APDI-0 8/1.7um-1mm-AG8

800～ 1700nm

φ 1.0mm

0～70 dB

8段階定量調整可能な利得

市場で最も大きなInGaAs APD

APDI-0.8/1.7um-0.5mm-AG8

0.5mm

高感度

弱い光や高速信号の検出に適している

APDI-0.8/1.7um-0.2mm-AG8

0.2mm

APDI-0.8/1.7um-0.1mm-AG8

0.1mm

APDI-0.8/1.7um-0.08mm-AG8

φ 0.08mm

APDI-0.8/1.7um-0.05mm-AG8

φ0.05mm