·  広い動作温度範囲に対応

·  高信頼性

· 多重量子井戸（MQW）活性層を採用

電気・光学特性（Tcase = 25°C、CW バイアス時）

外形図

注意：写真上のシルク印刷は参考用です。

絶対最大定格

注意事項

1.絶対最大定格を超える応力は、デバイスに永久的な損傷を与える可能性があります。

2.これらはあくまで絶対最大応力定格であり、データシートの動作条件を超えた状態での正常動作を保証するものではありません。

3.絶対最大定格に長時間さらされると、デバイスの信頼性に悪影響を及ぼす可能性があります。

取り扱い手順

1.推奨ボンディング条件

ボンディング温度：350℃

ボンディング力：30グラム（最大40グラムまで）

ボンディング力および温度は徐々に加えること

ボンディング時間：10秒以下

推奨バーンイン条件

条件1

チップヒートシンク温度：100℃

電流：100mA

時間：24時間

判定基準：BI 0時間 LIV1；BI 24時間 LIV2 を LIV1 と比較

ΔIth (T=25℃) ≤ 1mA、ΔPf(T=25℃) ≤ 10%

条件2

チップヒートシンク温度：100℃

電流：100mA

時間：24時間＋48時間

判定基準：BI 24時間 LIV1；BI 24時間＋48時間 LIV2 を LIV1 と比較

ΔIth (T=25℃) ≤ 0.7mA、ΔPf(T=25℃) ≤ 5%

·  可変波長半導体レーザー吸収分光法

·  CH4（メタン）モニタリング

TDLAS-DFB Chips-☆-A8▽-W□□□□

☆ ：出力

A：5.5mW

B：20mW

▽：波長許容範囲

1：±1nm

2：±2nm

□□□□：波長

1625:1625nm

*****

1653.7：1653.7nm