応答スペクトル

λ

—

400～1100

nm

  アクティブ直径

D

—

0.8

mm

 逆破壊電圧

VBR

ダークカレントID=10μA,光出力パワー φe=0

200

450

V

  動作電圧

VR

0.90×VBR

320

V

  応答性

RV

M=100,λ=1.06μm,パルス幅 TW=100ns

150

kV/W

 ダイナミックレンジ

DY

M=100,λ=1.06μm

25

dB

  -3dB帯域幅

BW

M=100,λ=1.06μm,パルス幅 TW=100ns

35

MHz

  立ち上がり/立ち下がり時間

Tr

M=100,λ=1.06μm,パルス幅 TW=100ns

10

ns

ノイズ等価電力

NEP

M=100,f=100kHz,△f=1.0Hz

0.20

pW/   √Hz

  出力インピーダンス

RO

33

Ω

  出力電圧スイング

VO

-

0.7

V

  オフセット電圧

Voffset

-

-0.7

V

  正電源電流

ICC

10

mA

  負電源電流

IEE

10

mA

  温度係数

σ

-45℃～+70℃

2.4

V/℃

 同心度

△D

-

50

μm

最大値

13.94

11.1

5.65

0.55

15.5

15

10.2

2.6

0.85

1.05

-

標準値

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

1.45

最小値

13.9

10.9

5.25

0.45

15.2

10

10

2.4

0.75

0.95

-

1

出力

VOUT

6/7/10

グラウンド

GND

2/5/7/11

サスペンドまたはグラウンド

N.C or GND

3

負電源

VEE

4

APDバイアス動作電圧

VR

8

サスペンドまたはグラウンド

N.C or GND

9

サスペンドまたはグラウンド

N.C or GND

12

正電源

VCC

APD電圧供給

VR

VBR

V

 動作温度

TC

-45～+85

℃

 保管温度

TSTG

-55～+100

℃

  最大光入力パワー

Pin

10

mW

 モジュール電源電圧

Vcc/VEE

±9

V

 電力損失

Pw

100

mW

 はんだ付け温度（時間

-

300（10s）

℃