特長
· AlGaInAs MQW（多重量子井）
· 広い波長チューニング範囲
· 高出力
· エッジ放射型
· 低ファセット反射率
· Cバンド対応
電気・光学特性（E/O特性）
電気光学特性
RSOA チップの特性：
パラメータ | 記号 | 試験条件 | 最小値 | 典型値 | 最大値 | 単位 |
ビーム出射角 | Θext | Tc=25℃&CW I=200mA | -- | 19.5 | -- | 。 |
光出力 | P | Tc=25℃&CW I=200mA | 5 | 15 | -- | mW |
直列抵抗 | Rs | Tc=25℃&CW I=200mA | -- | 2 | 4 | Ohm |
順方向電圧 | V | Tc=25℃&CW I=200mA |
| 1.3 | 2 | V |
中心波長 | λ | Tc=25℃&CW I=200mA | -- | 1540 | -- | nm |
ASE 帯域幅 | Δλ | Tc=25℃&CW I=200mA@-3dB | 40 | 50 | -- | nm |
斜面反射率 | R1 | -- | -- | 0.01 | -- | % |
R2 | -- | -- | 90 | -- | % |
チップ長 | L | -- | -- | 1000 | -- | μm |
遠方場（垂直方向） | θ v | Tc=25℃&CW I=200mA@R1 | -- | 19 | -- | 。 |
遠方場（水平方向） | θ h | Tc=25℃&CW I=200mA@R1 | -- | 13 | -- | 。 |
1550 nm における微小外部共振器反射率に基づく特性：
パラメータ | 記号 | 試験条件 | 最小値 | 典型値 | 最大値 | 単位 |
しきいち電流 | Ith | Tc=25℃&CW | -- | 20 | 40 | mA |
波長範囲 | λp | Tc=25℃&CW | -- | 1550 | -- | nm |
光出力 | P | Tc=25℃&CW I=200mA | 20 | 40 | -- | mW |
直列抵抗 | Rs | Tc=25℃&CW I=200mA | -- | 2 | 4 | Ohm |
SMSR | SMSR | Tc=25℃&CW I=200mA | -- | 50 | -- | dB |
順方向電圧 | V | Tc=25℃&CW I=200mA |
| 1.3 | 2 | V |
RSOA チップの典型性能：
絶対最大定格※：
パラメータ | 記号 | 最小値. | 最大値. | 単位 |
動作温度 | To | -5 | 85 | ℃ |
保存温度 | Ts | -40 | 100 | ℃ |
順方向電流 | If | -- | 500 | mA |
逆方向電圧 | VR | -- | 2 | V |
ESD（HBM方式） | ESD | -- | 500 | V |
※絶対最大定格を超えるストレスが加わると、デバイスに永久的な損傷を与える可能性があります。これらは絶対的なストレス定格であり、動作保証を意味するものではありません。本データシートの動作条件範囲を超えた状態でデバイスが正常に機能することは保証されません。絶対最大定格に長時間さらされると、デバイスの信頼性に悪影響を及ぼす可能性があります。
これらの最大ストレスが適用されるのは、チップが適切にヒートシンクへ実装された後に限ります。裸のチップに電流を印加するとデバイスが損傷する可能性があります。
外形図およびダイ寸法
チップの外観およびサイズ（単位：mm）
チップ寸法（wlh） = 300±10μm × 1000±20μm × 100±10μm
ESD および EOS:
スイッチング過渡現象は、チップに電気的過負荷（EOS）損傷を引き起こす可能性があります。
EOS は、不適切な ESD 取り扱い、不適切な電源シーケンス、故障した電源、または断続的な接続が原因で発生することがあります。
適切な電源オン順序:
a. すべての接地接続
b. 最も負の電源
c. 最も正の電源
d. 残りのすべての接続
電源オフ時: 上記の順序を逆にします。
レーザー安全:
注意: 本書に記載された操作、調整および手順以外の使用は、危険なレーザー放射への曝露を引き起こす可能性があります。
応用 / 用途
· 幅広い波長範囲で調整可能な外部共振器型半導体レーザー用増幅媒質
· 狭い線幅のレーザー用増幅媒質
