スペクトル応答範囲

800～2200nm

800～2600nm

  応答時定数

35ns

200ns

25ns

233ns

  ゲイン

Hi-Z load:   1.51kV/A～4.75 MV/A; 50Ω load: 0.75kV/A～2.38 MV/A

 信号振幅

Hi-Z load: 0～10V;   50Ω load: 0～5V

 ゲイン調整方式

ロータリーギア調整、0～70 dB、ギアごとに 10 dB、全 8 段。帯域幅はゲインに反比例します。

 NEP

1.0X10-13(W/Hz1/2)

2.5X10-14(W/Hz1/2)

1.0X10-12(W/Hz1/2)

2.0X10-12(W/Hz1/2)

  アクティブエリア

1mm x 1mm

2mm x 2mm

1mm x 1mm

2mm x 2mm

 アクティブエリア深さ

0.13" (3.3   mm)

 ディテクタ正味重量

0.10kg

  動作温度

10～40℃

保存温度

-20～70℃

 寸法

2.79" X   2.07" X 0.89" (70.9 mm X 52.5 mm X 22.5 mm)

  電源インターフェース

電源スイッチ

信号インターフェース

ゲイン調整

Rロッドインターフェース

光インターフェース

  LUMBERG

スライドスイッチ

BNC メスコネクタ

8 段ノブ

M4 x 2

SM1 x 1 SM0.5 x 1

ゲイン(Hi-Z)

1.51X10³V/A

ゲイン(Hi-Z)

4.75X10³V/A

ゲイン(Hi-Z)

1.5X10⁴V/A

ゲイン(Hi-Z)

4.75X10⁴V/A

ゲイン(50Ω)

0.75X10³V/A

ゲイン(50Ω)

2.38X10³V/A

ゲイン(50Ω)

0.75X10⁴V/A

ゲイン(50Ω)

2.38X10⁴V/A

帯域幅(BW)

13MHz

帯域幅(BW)

1.7MHz

帯域幅(BW)

1.1MHz

帯域幅(BW)

300kHz

ノイズ (RMS)

≤250μV

ノイズ(RMS)

≤250μV

ノイズ(RMS)

≤250μV

ノイズ (RMS)

≤250μV

40dB

50dB

60dB

70dB

ゲイン(Hi-Z)

1.51X10⁵V/A

ゲイン(Hi-Z)

4.75X10⁵V/A

ゲイン(Hi-Z)

1.5X10⁶V/A

ゲイン(Hi-Z)

4.75X10⁶V/A

ゲイン(50Ω)

0.75X10⁵V/A

ゲイン(50Ω)

2.38X10⁵V/A

ゲイン(50Ω)

0.75X10⁶V/A

ゲイン(50Ω)

2.38X10⁶V/A

帯域幅(BW)

90kHz

帯域幅(BW)

28kHz

帯域幅(BW)

9kHz

帯域幅(BW)

3kHz

ノイズ(RMS)

≤250μV

ノイズ(RMS)

≤250μV

ノイズ (RMS)

≤300μV

ノイズ (RMS)

≤400μV

信号バイアス

±8mV(Typ.) ，±12mV(Max)

InGaAs-0.8/2.2um-1x1mm-AG8

800～2200nm

1mm x 1mm

0〜70dB、8段階量子化調整可能なゲイン

標準モデル

InGaAs-0.8/2.2um-2x2mm-AG8

大きなアクティブエリア

InGaAs-0.8/2.6um-1x1mm-AG8

800～2600nm

2mm x 2mm

最大2.6μmまでの拡張カバレッジ

InGaAs-0.8/2.6um-2x2mm-AG8