InGaAs バタフライ型フォトディテクタ

概要
特長
仕様
応用 / 用途

バタフライパッケージ型フォトディテクタは、低雑音PIN検出器とトランスインピーダンスアンプを統合しており、単一電源で駆動されます。従来の検出器モジュールの性能を保持しつつ、サイズは小型化、重量は軽量化、消費電力も低減されており、特に装置の小型化・システム統合化のトレンドに適しています。

製品モデル

名称	モデル	説明	パラメータ	価額
500M InGaAs バタフライ型フォトディテクタ [PDF] [RFQ]	DPD-500M-A	応答波長: 800–1700 nm、帯域幅：500M 、材料: InGaAs、検出器感度: 0.95 A/W @ 1550 nm、光入力、FC/APC コネクタ、モジュール	応答波長: 800-1700nm 帯域幅: 500MHz リードタイム: 約2～3週間	[お問い合わせください] Call us
400M InGaAs バタフライ型フォトディテクタ [PDF] [RFQ]	DPD-400M-A	応答波長: 800–1700 nm、帯域幅：400M 、材料: InGaAs、検出器感度: 0.95 A/W @ 1550 nm、光入力、FC/APC コネクタ、モジュール	応答波長: 800-1700nm 帯域幅: 400MHz リードタイム: 約2～3週間	[お問い合わせください] Call us
300M InGaAs バタフライ型フォトディテクタ [PDF] [RFQ]	DPD-300M-A	応答波長: 800–1700 nm、帯域幅：300M 、材料: InGaAs、検出器感度: 0.95 A/W @ 1550 nm、光入力、FC/APC コネクタ、モジュール	応答波長: 800-1700nm 帯域幅: 300MHz リードタイム: 約2～3週間	[お問い合わせください] Call us
200M InGaAs バタフライ型フォトディテクタ [PDF] [RFQ]	DPD-200M-A	応答波長: 800–1700 nm、帯域幅：200M 、材料: InGaAs、検出器感度: 0.95 A/W @ 1550 nm、光入力、FC/APC コネクタ、モジュール	応答波長: 800-1700nm 帯域幅: 200MHz リードタイム: 約2～3週間	[お問い合わせください] Call us
100M InGaAs バタフライ型フォトディテクタ [PDF] [RFQ]	DPD-100M-A	応答波長: 800–1700 nm、帯域幅：100M 、材料: InGaAs、検出器感度: 0.95 A/W @ 1550 nm、光入力、FC/APC コネクタ、モジュール	応答波長: 800-1700nm 帯域幅: 100MHz リードタイム: 約2～3週間	[お問い合わせください] Call us

パラメータ

特長

· 低ノイズ

· 高帯域幅

· 高トランスインピーダンス利得

· コンパクト構造

· 内蔵低ノイズ絶縁電源

仕様

製品モジュール	DPD-100M-A	DPD-200M-A	DPD-300M-A	DPD-400M-A	DPD-500M-A	単位
検出器	InGaAs
波長	800～1700					nm
帯域幅	100M	200M	300M	400M	500M	Hz
検出器感度	0.95	0.95	0.95	0.95	0.95	A/W@1550nm
トランスインピーダンス利得	30K	30K	30K	10K	5K	V/A
飽和入力光パワー	130	130	130	390	780	μW
等価雑音光パワー（NEP）	5	5	5	7	7	pW/Sqrt(Hz)
出力インピーダンス	50	50	50	50	50	Ω
出力結合方式	DC/AC	DC/AC	DC/AC	DC/AC	DC
供給電圧	5	5	5	5	5	V
供給電流	0.3(max)	0.3(max)	0.3(max)	0.3(max)	0.3(max)	A
光入力	FC/APC
高周波出力	MCX（メス）
外形寸法	252210.5

応用 / 用途

· 光ファイバーセンシング

· 光ファイバー通信

· レーザー測距

· 分光測定

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