5G InGaAs APD フォトディテクタ
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[RFQ]
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APD-5G-A
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応答波長: 800–1700 nm、 帯域幅:5G 、材料: InGaAs,、検出器感度:9 V/W、光入力:FC/APC |
応答波長:
800-1700nm 帯域幅:
5GHz リードタイム: 約2~3週間 |
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2.5G InGaAs APD フォトディテクタ
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APD-2.5G-A
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応答波長: 800–1700 nm、 帯域幅:2.5G 、材料: InGaAs,、検出器感度:9 V/W、光入力:FC/APC |
応答波長:
800-1700nm 帯域幅:
2.5GHz リードタイム: 約2~3週間 |
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2G InGaAs APD フォトディテクタ
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APD-2G-A
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応答波長: 800–1700 nm、 帯域幅:2G 、材料: InGaAs,、検出器感度:9 V/W、光入力:FC/APC |
応答波長:
800-1700nm 帯域幅:
2GHz リードタイム: 約2~3週間 |
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1.5G InGaAs APD フォトディテクタ
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APD-1.5G-A
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応答波長: 800–1700 nm、 帯域幅:1.5G 、材料: InGaAs,、検出器感度:9 V/W、光入力:FC/APC |
応答波長:
800-1700nm 帯域幅:
1.5GHz リードタイム: 約2~3週間 |
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1.2G InGaAs APD フォトディテクタ
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APD-1.2G-A
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応答波長: 800–1700 nm、 帯域幅:1.2G 、材料: InGaAs,、検出器感度:9 V/W、光入力:FC/APC |
応答波長:
800-1700nm 帯域幅:
1.2GHz リードタイム: 約2~3週間 |
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1G InGaAs APD フォトディテクタ
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APD-1G-A
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応答波長: 800–1700 nm、 帯域幅:1G 、材料: InGaAs,、検出器感度:9 V/W、光入力:FC/APC |
応答波長:
800-1700nm 帯域幅:
1GHz リードタイム: 約2~3週間 |
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800M InGaAs APD フォトディテクタ
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APD-800M-A
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応答波長: 800–1700 nm、 帯域幅:800M 、材料: InGaAs,、検出器感度:9 V/W、光入力:FC/APC |
応答波長:
800-1700nm 帯域幅:
800MHz リードタイム:
約2~3週間 |
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500M InGaAs APD フォトディテクタ
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APD-500M-A
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応答波長: 800–1700 nm、 帯域幅:500M 、材料: InGaAs,、検出器感度:9 V/W、光入力:FC/APC |
応答波長:
800-1700nm 帯域幅:
500MHz リードタイム: 約2~3週間 |
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400M InGaAs APD フォトディテクタ
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APD-400M-A
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応答波長: 800–1700 nm、 帯域幅:400MHz 、材料: InGaAs,、検出器感度:9 V/W、光入力:FC/APC |
応答波長:
800-1700nm 帯域幅:
400MHz リードタイム: 約2~3週間 |
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300M InGaAs APD フォトディテクタ
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APD-300M-A
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応答波長: 800–1700 nm、 帯域幅:300MHz 、材料: InGaAs,、検出器感度:9 V/W、光入力:FC/APC |
応答波長:
800-1700nm 帯域幅:
300MHz リードタイム: 約2~3週間 |
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200M InGaAs APD フォトディテクタ
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APD-200M-A
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応答波長: 800–1700 nm、 帯域幅:200MHz 、材料: InGaAs,、検出器感度:9 V/W、光入力:FC/APC |
応答波長:
800-1700nm 帯域幅:
200MHz リードタイム: 約2~3週間 |
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100M InGaAs APD フォトディテクタ
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APD-100M-A
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応答波長: 800–1700 nm、 帯域幅:100MHz 、材料: InGaAs,、検出器感度:9 V/W、光入力:FC/APC |
応答波長:
800-1700nm 帯域幅:
100MHz リードタイム: 約2~3週間 |
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