·  低ノイズ

·  高検出感度（D*）

·  高信頼性

·  マルチエレメントアレイでの提供可能（カスタム製品）

電気／光学特性（Tsub = 25°C、特に記載のない限り CW バイアスにて測定

典型特性曲線

受光感度（R）［A/W］

暗電流VS逆方向電圧

シャント抵抗 vs 素子温度

リニア

感度均一性

応用回路

絶対最大定格

·  ガス分析

·  レーザー検出

·  赤外分光測定

·  放射温度計

PL-☆-AR▽-W□□□□-XX

☆ ：材料

IG：InGaAs

Si：Si

▽：アクティブエリア

0080：80µm

1：1mm

□□□□：カットオフ波長

400：400nm

900：900nm

1700：1700nm

2100：2100nm

2400：2400nm

2700：2700nm

3600：3600nm

XX：パッケージ／ファイバーおよびコネクタタイプ

TO：TO5パッケージ

FPG：FC/PCプラグ付き

ユーザーの安全

安全上および操作上の注意事項

本デバイスは逆バイアス電圧で動作します。デバイスの極性を逆にしてはいけません。

フォトダイオードを最大定格を超えて動作させると、デバイスの故障や安全上の危険が生じる可能性があります。本コンポーネントに使用する電源は、最大ピーク光出力を超えてはいけません。

静電気保護（ESD） — 静電気放電は、レーザーダイオードの予期せぬ故障の主な原因です。ESDを防ぐために十分な注意を払ってください。フォトダイオードを取り扱う際は、手首ストラップ、接地された作業面、厳密な静電気防止技術を使用してください。