16 mm Si（シリコン）4分割PIN検出器

PL-1100-SI-QD16-TO は、高感度のシリコン（Si）四象限PINフォトディテクターで、赤外線計測およびセンシング用途に最適です。波長範囲400 nm～1100 nmで高いスペクトル応答を提供します。有効面積は直径16 mmの四象限構造で、平面パッシベーション構造を採用しています。この設計により、安定した性能と高い信頼性を実現しており、位置検出、ビームアライメント、光学追跡、その他のセンシングシステムなどの用途に適しています。

名称	モデル	説明	パラメータ	価額
10mm Si 四象限　PINフォトディテクター [PDF] [RFQ]	PL-1100-SI-QD10-TO	応答波長: 400 nm ～ 1100 nm、感度: 0.3 A/W @ 1064 nm、有効面積直径: 10mm、光感受材料: シリコン（Si）	材質: Si 有効領域 / 受光面積: 10mm リードタイム: 約3～4週間	[お問い合わせください] Call us
16mm Si 四象限　PINフォトディテクター [PDF] [RFQ]	PL-1100-SI-QD16-TO	応答波長: 400 nm ～ 1100 nm、感度: 0.3 A/W @ 1064 nm、有効面積直径: 16 mm、光感受材料: シリコン（Si）	材質: Si 有効領域 / 受光面積: 16mm リードタイム: 約3～4週間	[お問い合わせください] Call us

名称

モデル

説明

パラメータ

価額

10mm Si 四象限　PINフォトディテクター [PDF] [RFQ]

PL-1100-SI-QD10-TO

応答波長: 400 nm ～ 1100 nm、感度: 0.3 A/W @ 1064 nm、有効面積直径: 10mm、光感受材料: シリコン（Si）

材質: Si

有効領域 / 受光面積: 10mm

リードタイム: 約3～4週間

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16mm Si 四象限　PINフォトディテクター [PDF] [RFQ]

PL-1100-SI-QD16-TO

応答波長: 400 nm ～ 1100 nm、感度: 0.3 A/W @ 1064 nm、有効面積直径: 16 mm、光感受材料: シリコン（Si）

材質: Si

有効領域 / 受光面積: 16mm

リードタイム: 約3～4週間

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パラメータ

特長

● 上面照射型平面PD
● 狭い素子間隔
● 低クロストーク、高信頼性
● 各象限の応答均一性が良好

電気・光学特性（E/O特性）

電気・光学特性（Tsub = 25°C、特に記載のない限り連続波（CW）動作）

パラメータ	記号	テスト条件（TA=22℃±3℃）		数値		単位
パラメータ	記号	テスト条件（TA=22℃±3℃）				単位
応答（AC）（四象限）	Spi	λ=1.064μm VR=135 V	PulseWidth 20ns、Pin=2 mW	0.25	-	A/W
応答（DC）（四象限）	Rei		DC、Pin=1μw	0.30	-	A/W
応答変動（DC）（四象限）応答変動（AC）（四象限）	ΔRei		TA=-45℃±2 ℃	-	50	%
暗電流（四象限）	IDi	VR=135V,Pin=0μw	TA=22℃±3℃	-	1	μA
暗電流（四象限）	IDi		TA=70℃±3℃	-	10
暗電流（リング部）	ID		TA=22℃±3℃	-	10
暗電流（リング部）	ID		TA=70℃±3℃	-	100
接合容量（四象限）	Cji	VR=135V，f=1MHz		-	15	pF
有効面積直径	Φ			10	16	mm
等価雑音光パワー（ENP）	NEPi	λ=1.064μm，VR=135V ,Pulse Width 20 ns		-	5×10-12	W/HZ1/2
ブレークダウン電圧（四象限・リング）	VBR	IR=10μA		200	-	V
ピクセル間感度の不均一性	Rf	λ=1.064μm，VR=135 V ，Pulse Width 20 ns；Pin=2mW		-	5	%
ピクセル内感度の不均一性	Rfn	λ=1.064 μm，VR=135 V ，Pulse Width 20 ns；Pin=2mW		-	5	%
ピクセル間クロストーク係数	SLi	λ=1.064 μm，VR=135 V ，Pulse Width 20 ns；Pin=2mW		-	5	%

代表的特性カーブ

寸法およびピン定義

寸法外形
TOタイプ完全密封設計。外形参考図1、寸法参考表1

表1、寸法（単位：mm）

SYB	φD1	ΦD2	ΦD3	ΦD4	ΦD5	Φd	A	L1	L2	L3	e
最小値	30.55	27.80	3.00	27.915	22.60	0.98	7.03	3.02	1.85	2.70	18.00
最大値	30.65	28.00	3.06	27.94	23.40	1.02	7.20	3.10	1.95	3.00	18.05

PIN出力アレイ

ピン出力アレイ参考図2、ピン機能参考表2

表2、PIN出力アレイの機能

ピン番号	機能	電圧極性
1	第1象限	+
2	共通P極性	-
3	第4象限	+
4	リング	+
5	第3象限	+
6	セル	GND
7	第2象限	+

応用 / 用途

● レーザービーム位置センサー
● オートコリメーター
● 光学ツイーザー
● エリプソメーター

注文情報

PL-W□□□□-☆-QD▽-XX

□□□□: カットオフ波長

400: 400nm

900: 900nm

1100: 1100nm

2100: 2100nm

2400: 2400nm

2700: 2700nm

☆ :材料

IG: InGaAs

Si: Si

▽: アクティブエリア（単一素子）

10: 10mm

16: 16mm

XX: パッケージ／ファイバーおよびコネクタタイプ

TO: TO缶パッケージ

FSA=SMF-28E Fiber coupled+ FC/APC

FSP=SMF-28E Fiber coupled + FC/PC

FPP=PM Fiber Fiber coupled + FC/PC

FPA=PM Fiber Fiber coupled + FC/APC

ユーザー安全
安全性および操作に関する注意事項
このデバイスは逆方向バイアス電圧で動作します。デバイスの極性を逆転させてはいけません。
フォトダイオードを最大定格値を超えて操作すると、デバイスの故障や安全上の危険が生じる可能性があります。このコンポーネントと共に使用する電源は、最大ピーク光出力を超えてはいけません。
ESD保護—静電気放電（ESD）は予期しないレーザーダイオードの故障の主な原因です。ESDを防ぐために極めて慎重に取り扱い、作業中はリストストラップ、接地された作業面、厳密な静電気対策を使用してください。

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