| 名称 | モデル | 説明 | パラメータ | 価額 |
|---|
· 高ダイナミックレンジ
· 10 MHz~18 GHz帯域幅
· 低しきい値電流
· 高出力
· 7ピンバタフライパッケージ(SMAコネクタ付き)
· 動作ケース温度:-40~85 ℃
· 高信頼性
電気電気・光学特性(基板温度Tsub=25°C) | |||||||||
パラメータ | 記号 | 最小値 | 典型値 | 最大値 | 単位 | 備考 | |||
チップ出力光パワー | P | 8 | 10 | dBm | 1 | ||||
しきい値電流 | Ith | 10 | mA | - | |||||
動作電流 | Iop | 55 | 100 | mA | |||||
動作電圧 | Vop | 1.5 | 2.5 | V | - | ||||
ピーク波長 | λ | - | 1310 | - | nm | Any in C-band | |||
傾き効率 | SE | 0.2 | W/A | ||||||
SMSR | SMSR | 30 | dB | ||||||
相対強度噪音 | RIN | -150 | -130 | dB/Hz | |||||
帯域幅(-3 dB、 I = 60 mA) | S21 | 18 | GHz | - | |||||
リターンロス | S11 | -10 | -6 | dB | |||||
入力 1 dB コンプレッションポイント | 18 | dBm | |||||||
サーミスタ抵抗 | Rth | 10 | Kohm | @25C,NTC,Beta3930k | |||||
TEC電流 | It | 1.2 | A | 2 | |||||
TEC電圧 | Vt | 2.5 | V | 2 | |||||
静電容量(PD) | Ct | 20 | pF | ||||||
モニター電流 | Im | 0.05 | 2.0 | mA | |||||
暗電流(PD) | Id | 50 | nA | ||||||
静電容量(PD) | Ct | 20 | pF | ||||||
光アイソレーション | ISO | 30 | dB | No isolator option | |||||
偏光消光比 | PER | 17 | 20 | 25 | dB | ||||
光出力コネクタ | NA | FC/APC (PM Key aligned to slow axis) | |||||||
RF入力コネクタ | NA | K102F/2.92 mm (K) Female | |||||||
入力インピーダンスマッチング | Ω | 50 | ohm | ||||||
注記: すべてのレーザーチップは、代表的なデバイスロットを用いて認証されたウェーハから供給され、バーンインにおいて許容可能な歩留まりを達成する必要があります。
1. レーザー温度 25 °C、バイアス電流 55 mA に設定
2. 動作ケース温度:-5 ~ 75 °C
パフォーマンス仕様
絶対最大定格 | ||||
パラメータ | 記号 | 最小値 | 最大値 | 単位 |
レーザーダイオード順方向電流 | If | 120 | mA | |
レーザーダイオード順方向電圧 | V | 1 | V | |
フロント光出力 | Pf | 20 | dBm | |
PD逆方向電圧 | V | 15 | V | |
正方向電流(PD) | Im | 2 | mA | |
動作温度 | To | -40 | +85 | ℃ |
保存温度 | Ts | -40 | +85 | ℃ |
保存相対湿度 | Sr | 85 | % | |
典型データ

10G

20G
外形図
Unit (mm)

リード番号 | 機能 | リード番号 | 機能 |
1 | サーミスタ | 6 | TEC (+) |
2 | サーミスタ | 7 | TEC (-) |
3 | LD (-) | 8 | LD-(RF) |
4 | PD (+) | 9 | LD+/GND |
5 | PD (-) |
· 直接変調
· 高速光通信
· ゲインスイッチング
· 量子乱数生成(QRNG)
· RFフォトニクス
· 実験室での試験・測定