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    • Si（シリコン）光ファイバ付きフォトダイオード     


    本デバイスは複合 Si-PIN 構造です。高応答性を実現するため、バックサイドホールエッチングプロセスにより I 層を薄くしています。キャリアが浮遊領域を通過すると、光電流が発生します。応答速度を速めるため、遅い光キャリアはショートされています。

    当社独自の特許パッケージ設計「Bullet」デザインは、異なる波長向けに最適化された 2 つのチップを採用しています。1 つは「サークルチップ」、もう 1 つは「スクエアチップ」と呼ばれます。

    サークルチップはピーク応答波長が約 950 nm で、1060 nm 付近の波長にも良好に応答します。

    スクエアチップはピーク応答波長が約 900 nm で、450 nm～650 nm の波長に良好に応答します。

    デバイスはアクティブエリアサイズに適合する任意サイズの光ファイバーとピグテール化可能です。ピグテールのコアサイズは 3 µm から 100 µm まで対応。標準長さは 1 m ですが、任意の長さやコネクタ終端を指定できます。ピグテールは ST、FC、SC、LC コネクタで PC または APC 研磨に対応可能です。




    製品 モデル


    ネーム モデル 価額
    Si Pigtailed Photodiodes   [PDF]  [RFQ]

    PL-1100-SI-AR1-FSA-TO
    (Stock NO. Not entered)     		[お問い合わせください]
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    Si Pigtailed Photodiodes   [PDF]  [RFQ]

    PL-1100-SI-AR1-FSA-TO
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    Siピグテイルフォトダイオード   [PDF]  [RFQ]

    PL-1100-SI-AR4X4-FPA
    Stock NO.: E80044004     		[お問い合わせください]
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    Siピグテイルフォトダイオード   [PDF]  [RFQ]

    PL-1100-SI-AR4X4-FSA
    Stock NO.: E80044003     		[お問い合わせください]
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    0.4-1.1µm PMピグテイルフォトダイオード   [PDF]  [RFQ]

    PL-1100-SI-AR4-FPA
    Stock NO.: E80044002     		[お問い合わせください]
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    0.4-1.1µm SMピグテイルフォトダイオード   [PDF]  [RFQ]

    PL-1100-SI-AR4-FSA
    Stock NO.: E80044001     		[お問い合わせください]
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    パラメータ


    特長

    ● 大面積感光領域
    ● 低暗電流
    ● 高感度
    ● 高信頼性


    電気・光学特性（E/O特性）

    Tsub = 25°C、特に記載のない限り CW バイアスにて測定

    Circle チップ

    パラメータ

    記号

    テスト条件

    最小値

    典型値

    最大値

    単位

    感度スペクトル

    λ

    -

    400～1100

    ㎚

    Circleチップ有効径

    φ

    -

    0.2

    0.5

    1.0

    2.0

    4.0

    mm

    受光感度

    Re

    λ=1060nm,VR=40V

    0.2

    0.2

    0.2

    0.23

    0.23

    A/W

    応答速度

    Tr

    RL=50Ω,VR=40V

    2.0

    5.0

    6.0

    8.0

    12.0

    ns

    逆耐圧

    VBR

    IR =10µA

    80

    100

    80

    100

    100

    Ⅴ

    暗電流

    ID

    VR = 40V

    1

    5

    8

    10

    40

    nA

    静電容量

    C

    F=1MHZ,V R =40V

    0.5

    0.8

    2.0

    5.0

    12

    PF

    動作電圧

    ⅤR

    -

    40

    V

    備考（Note）：飽和光パワー ≤ 0.3 W/cm²

     

    Square チップ

    パラメータ

    記号

    テスト条件

    最小値

    典型値

    最大値

    単位

    感度スペクトル

    λ

    -

    400～1100

    ㎚

    Circleチップ有効径

    φ

    -

    1x1

    4x4

    1.3x1.3

    2x2

    3x3

    mm

    受光感度

    Re

    λ=635nm,VR=10V

    0.38

    A/W

    応答速度

    Tr

    RL=50Ω,VR=10V

    25

    100

    45

    50

    50

    ns

    逆耐圧

    VBR

    IR =10µA

    50

    Ⅴ

    暗電流

    ID

    VR = 10V

    3

    15

    3

    5

    7

    nA

    静電容量

    C

    F=1MHZ,V R =10V

    15

    350

    50

    300

    500

    PF

    動作電圧

    ⅤR

    -

    10

    V

    備考（Note）：飽和光パワー ≤ 0.3 W/cm²

     

    典型特性曲線

    Responsivity, R (A/W)

    T1.png

     Circle chip Wavelength, λ (nm)


     Responsivity, R (A/W)

    T2.png

    Square chip Wavelength, λ (nm)


    静電容量-電圧特性曲線

    capacitance


    T3.png

                                                                                                                                                                                    Voltage（V）


    応用回路

    t4.png

    寸法およびピン定義


    t5.jpg

    t6.png


    SMF-28E ファイバー 公称特性と許容差

    パラメータ

    仕様値

    カットオフ波長

    920nm

    最大減衰

    2.1dB/km

    クラッド径

    125um

    コーティング径

    250um

    コア・クラッド同心度

    ≤0.5um

    モードフィールド径

    9.5um

     

    絶対最大定格

    項目

    記号

    単位

    最小値

    典型値

    最大値

    テスト条件

    ケース温度

    TOP

    ℃

    -5

    25

    70


    順方向電圧

    VR

    V

    5

    10

    15


    軸方向引張力


    N

    -

    -

    5N

    3x10s

    側面引張力


    N

    -

    -

    2.5N

    3x10s

    光ファイバー曲げ半径



    16mm



    -

    逆方向電圧（PD）

    VPD

    V

    -

    -

    10

    C=100pF,R=1.5KΩ，HBM

    PD 静電気放電

    VESD-PD

    V


    -

    500


    PD 順方向電流

    IPF

    mA


    -

    10


    リードはんだ付け時間


    S


    -

    10s

    260℃

    保存温度

    TSTG

    ℃

    -40

    -

    +85

    2000hr

    動作温度

    TOP

    ℃

    -55

    -

    +125


    相対湿度

    RH


    5%

    -

    95%

    結露なし


    応用 / 用途

    ·  距離測定

    ·  0.4–1.1 μm 過渡プロセス

    ·  高速物理・化学プロセス光検出

    ·  光検出、YAG パルス出力測定

    ·  光ファイバー通信検出


    注文情報

    PL-□□□□-☆-AR▽-XX-TO

    □□□□：カットオフ波長

    0400:400nm

    0900:900nm

    1700:1700nm

    2100:2100nm

    2400:2400nm

    2700:2700nm

    ☆ ：材料

    IG：InGaAs

    Si：Si

    ▽：有効径

    1：1mm

    2：2mm

    1X1: 1x1mm

    2X2: 2X2mm

    XX: パッケジ/ファイバ及びコネクタタイプ

    TO:TO46 パッケージ

    FSA=SMF-28E Fiber coupled+ FC/APC

    FSP=SMF-28E Fiber coupled + FC/PC

    FPP=PM Fiber Fiber coupled + FC/PC

    FPA=PM Fiber Fiber coupled + FC/APC

     

    ユーザー安全情報
    安全および動作上の注意事項

    本デバイスは逆バイアス電圧で動作します。デバイスの極性を逆にしてはいけません。

    フォトダイオードを最大定格外で使用すると、デバイスの故障や安全上の危険を引き起こす可能性があります。本部品に使用する電源は、最大ピーク光出力を超えてはいけません。

    ESD 保護 — 静電気放電（ESD）は、予期せぬレーザーダイオード故障の主な原因です。ESD を防ぐために十分な注意を払ってください。フォトダイオードを取り扱う際は、腕時計型アースベルト、接地された作業台、および厳格な静電気防止技術を使用してください。



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    10+
    10年以上の実績
    50+
    50か国以上と取引
    10000+
    累計1万台以上販売
    30+
    30件以上の特許取得実績
    1
    自社半導体ラボ保有
    10
    10種類以上の先進光学ソリューション提供
    住所: シンガポール 288 Woodlands Loop #04-00, 738100 メール: info@ld-pd.com 電話: (+65)31638599 FAX: (+65)31588700 著作権: © 2012-2025 LD-PD PTE. LTD. 無断転載禁止 LD-PD PTE. LTD. is proud to be RoHS certified through SGS and ISO9001 certified through GIC.
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