800〜1700 nm InGaAs 増幅型フォトディテクタ     


InGaAs増幅型フォトディテクタは、800nm~1700nmの受光感度範囲を持ち、固定ゲインにより定量的な光電変換が可能です。
高帯域幅性能を確保しつつ十分なゲインを備えており、微弱光かつ高速な光電検出アプリケーションの開発に適しています。
優れた性能と高いコストパフォーマンスを有し、包括的な技術サポートを提供します。
近赤外光測定分野で広く使用されています。




製品 モデル


名称 モデル 価額
800–1700nm InGaAs 増幅型フォトディテクタ   [PDF]  [RFQ]

PDJAF8J5-S
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パラメータ


特長

·  800nm〜1700nmの感度範囲で、近赤外光測定に広く使用

·  増幅型検出器、固定ゲイン、定量的光電変換

·  十分なゲインを確保

·  高帯域幅性能を維持しつつ、弱光・高速光電検出用途の開発に最適

·  優れた性能、高いコストパフォーマンス、包括的な技術サポート

·  非標準カスタマイズサービスに対応


主要パラメータ

パラメータ

波長範囲

800-1700nm

900-2600nm

 受光部サイズ

Φ0.5mm

Φ150um

Φ0.5mm

Φ2.0mm

Φ1.0mm

 帯域幅

DC~150MHz

DC~380MHz

DC~20Hz

DC~5MHz

DC~25MHz

  利得

Hi-Z負荷:10kV/A;

50Ω 負荷:5kV/A

Hi-Z 負荷: 5×104V/A;

50Ω負荷:2.5×104V/A

1×1011V/A±10%

Hi-Z 負荷:500kV/A;

50Ω 負荷: 175kV/A

Hi-Z負荷: 1×104V/A;

50Ω 負荷:5×103V/A

信号振幅

Hi-Z 負荷: 0~10V;

50Ω 負荷: 0~5V

Hi-Z負荷: 0~10V;

50Ω 負荷: 0~5V

0~10V

Hi-Z 負荷:0~10V;

50Ω 負荷:0~3.5V

Hi-Z負荷: 0~10V;

50Ω 負荷: 0~5V

NEP

1.2×10-11W/Hz1/2

1.0 × 10-13W/Hz1/2

2×10-14W/Hz1/2

2.2×10-11W/Hz1/2

1.1×10-11W/Hz1/2

受光面深さ

0.13" (3.3 mm)

0.16" (4.1 mm)

0.07" (1.8 mm)

0.15" (3.7 mm)

0.09" (2.2mm)

動作温度

10-40℃

10-50℃

 保管温度

-20-70℃

-25-70℃

  検出器本体重量

0.10kg

0.06kg

0.10kg

 外観寸法

2.79" X 2.07" X 0.89" (70.9 mm X 52.5 mm X 22.5 mm)

2.79" X 1.96" X 0.89" (70.9 mm X 49.8 mm X 22.5 mm)

2.79" X 1.96" X 0.89" (70.9 mm X 49.9 mm X 22.5 mm)

2.79" X 1.96" X 0.8" (70.9 mm X 49.9 mm X 22.5 mm)

2.79" X 1.96" X 0.89" (70.9 mm X 49.8 mm X 22.5 mm)

  電源インターフェース

電源

電源スイッチ

信号インターフェース

取り付け用インターフェース

光学インターフェース

 LUMBERG R SMV3 メスコネクタ

LDS12B(DP)、±12 VDC レギュレーテッド リニア電源、6W、220VAC

スライディングスイッチ(LEDインジケータ付き

BNC メスソケット

M4×2

SM1× 1

SM0.5 × 1

 

応答カーブ


20250518-155005.png


製品構成


20250518-155007.png


添付1:オプション構成表

シリコンベースの増幅型光電検出器

オプション構成

製品名

材料

タイプ

特性

波長範囲

 感度領域(アクティブエリア)

 予約可能なオプション構成

PD:「光電検出器」r

J: InGaAs

A: 増幅型

F: Fixed gain

8J5:800-1700nm,Φ0.5mm

 -s:800〜1700nm、Φ0.5mm、超弱光測定用





8J015:800-1700nm,Φ150um






8J20: 800-1700nm,Φ2.0mm






9O10:900-2600nm,Φ1.0mm



添付資料 2:モデル・部品番号対応表

モデル

部品番号

仕様

PDJAF8J5

A80153440

800–1700 nm InGaAs 増幅型フォトディテクタ

感光面径 Φ0.5 mm固定利得 10 kV/A

帯域幅 DC ~150 MHz特徴: 高速・低光量測定

PDJAF8J5-S

A80153441

800–1700 nm InGaAs 増幅型フォトディテクタ

感光面径 Φ0.5 mm固定利得 1×10¹¹ V/A ±10%

帯域幅 DC ~20 MHz特徴: 極微弱光測定

PDJAF8J015

A80153442

800–1700 nm InGaAs 増幅型フォトディテクタ

感光面径 Φ150 mm固定利得 5×10⁴ V/A

帯域幅 DC ~380 MHz特徴: 高速・低光量測定

PDJAF8J20

A80153443

800–1700 nm InGaAs 増幅型フォトディテクタ

感光面径 Φ2.0 mm固定利得 500 kV/A

帯域幅 DC ~5 MHz特徴: 大型ターゲット面向け

PDJAF9O10

A80153444

900–2600 nm InGaAs 増幅型フォトディテクタ

感光面径 Φ1.0 mm固定利得 1×10⁴ V/A

帯域幅 DC ~25 kHz特徴: 赤外拡張対応



寸法

Unit (mm)

20250518-155004.png

応用 / 用途

● 近赤外線測定


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