760nm DFB レーザー O2 検知用  TO39  パッケージ     


PL-DFB-760-A81 760nm DFBレーザーダイオードモジュールは、LD-PDによって製造されており、コストパフォーマンスに優れた高いコヒーレンスを持つレーザー源です。DFBレーザーダイオードチップは、業界標準の密封型TO5パッケージにTECとPDを内蔵してパッケージされています。




製品 モデル


名称 モデル 価額
760nm DFB レーザー TO39パッケージ   [PDF]  [RFQ]

PL-DFB-760-10-A81-TO39
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パラメータ


特長

·  狭ライン幅 < 2MHz

·  優れた波長制御および安定性

·  モードホップフリー調整

·  優れた信頼性

·  お客様指定波長対応


電気・光学特性(E/O特性)

電気・光学特性( Tsub = 25°C、特に記載のない限り連続波(CW)動作)

パラメータ

記号

最小値

典型値

最大値

単位

中心波長

λ

759.0

760.0

761.0

nm

SMSR

SMSR

30

40


dB

しきい値電流

Ith


5

10

mA

動作電流

  Iop


40

60

mA

チップ出力光パワー

Pf

10

15

20

mW

量子効率

η

0.08

0.12


mW/mA

電流チューニング係数

∆λ/∆I


0.015


nm/mA

温度チューニング係数

∆λ/∆


0.12


nm/K

順方向電圧

Vf


1.3

2

V

サーミスタ抵抗

RT

9.5

10

10.5

サーミスタ温度係数



-4.4


%/℃

チップとウィンドウの距離

Dcow


1.03


mm

パッケージタイプ

TO39

 

スペクトル


760.1.jpg


L-Iカーブ


160.2.jpg


波長、電流および温度調整

160.3.jpg


三角波線形スキャン

160.4.jpg

寸法およびピン定義

160.5.png

絶対最大定格

項目

単位

最小値

典型値

最大値

ケース温度

-5

25

70

チップ温度

+10

25

40

動作電流

mA

0

60

80

順方向電圧

V

0.8

1.2

1.8

TEC電流

A

-

-

1.2

逆方向電圧(LD)

V

-

-

2.0

逆方向電圧(PD)

V

-

-

20






応用 / 用途

·  TDLAS(酸素)

·  干渉計


注文情報

PL-DFB-□□□□-☆-A8▽-TO39

□□□□: 波長

0760: 760nm

1270:1270nm

1532: 1532nm

1392: 1392nm

1512: 1512nm

1567: 1567nm

*****

1653.7: 1653.7nm

☆: 出力

10: 10mW

20: 20mW

▽: 波長許容範囲

1: ±1nm

2: ±2nm


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