1550 nm 狭線幅外部共振腔半導体レーザー     


自社設計・製造の外部共振器チップを用いることで、ハイブリッド集積により、狭線幅・高出力・低ノイズの安定したレーザー出力を実現しています。
高度に集積されたコヒーレント検出分野に適しています。位相雑音および周波数雑音が低く、集積線幅は 3 kHz 以下に達することが可能です。
設計サイズが小さく、性能が安定しており、優れた振動特性を備えています。

 




製品 モデル


ネーム モデル 価額
1560 nm 5kHz 外部共振器狭線幅モジュール   [PDF]  [RFQ]

SCL0-ECL-1560-A-A81-L03-M0-SA
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パラメータ


特性

● 波長安定性:±10 pm
● 出力安定性:0.01 dB
● 消費電力:5 W
● 寸法:96 × 27 × 68 mm
● 動作温度:-20~75 ℃

 


レーザー仕様

基本指標

出力光特性

パラメータ

単位

出力光パワー

≥ 1020

mW

集積線幅)

≤3, 5note 1

kHz

固有線幅

100

Hz

動作波長

1550±5 or ITU-T Grid ±0.2

nm

周波数安定性

Typical 10-8 (2MHz)

@100s

相対強度雑音(RIN)

≤-150

dBc/Hz

動作温度

-10~60

光アイソレーション

≥40

dB

電気特性

Parameter

Unit

供給電圧

5-6

V

通常動作電流

500note2

mA

モジュール起動電流

1500note3

mA


注記

1: 位相雑音法により測定されます。これは、遅延自己差ビート法を用いた簡易測定によるローレンツ線幅と類似しています

2: 典型値は外部動作温度に依存します。

3: モジュール起動時の TEC 高電流動作状態での電流値です。正常な起動を保証するため、電源は通常 2 A の電流を供給する必要があります。

 

 

線幅測定

P2.jpg

線幅測定CW, 3.928 kHz @ 25 ℃


スペクトル解析


P3.png


周波数雑音


P4.png






寸法

Unit (mm)

P5.jpg

注文情報

SCL0-ECL-□□□□-☆-A8▽-L□□-M□-XX

□□□□: 波長

1530.33: 1530.33nm

1550.12: 1550.12nm

*****

1565.5: 1565.5nm

☆: 出力

A:10mW

B:20mW

C:30mW

D:40mW

E:50mW

▽: 波長許容範囲

1: ±1nm

2: ±2nm

3:±10nm

L□□:線幅

01: Grade 1 <1KHZ

02: Grade 2 <3KHZ

03: Grade 3 <5KHZ

04: Grade 4 <10KHZ

05: Grade 5 <20KHZ

M□変調

0:CW

1:外部変調

XX: ファイバ及びコネクタタイプ

SA=SMF-28E+ FC/APC

SP=SMF-28E+ FC/PC

PP=PM Fiber+ FC/PC

PA=PM Fiber+ FC/APC



DWDM ITU 波長¹

P6.png

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