5 mmまたは10 mm 大型有効直径 Ge(ゲルマニウム)フォトダイオード     


LD-PD社の10×10フォトダイオードは、パルス光および連続波(CW)光ファイバー光源の測定に最適で、光パワーを電流に変換します。本検出器はセラミック製で、アノードとカソードを備えています。

フォトダイオードのアノードは、入射光のパワーおよび波長に応じた電流を生成します。感度 R(λ)R(λ)R(λ) は、次ページのグラフから読み取ることができ、光電流の概算に使用できます。この電流は、フォトダイオードのアノードから回路のグランドに負荷抵抗(RLR_LRL)を接続することで電圧に変換可能です。ここで光パワーを PPP とすると、出力電圧は次の式で表されます:


ges.png

フォトダイオードの帯域幅 (fBW) および 立ち上がり時間 (tR) は、ダイオード容量 (CJ) と 負荷抵抗 (RL) によって決まります(下図参照)。フォトダイオードのカソードから回路グラウンドにバイアス電圧を印加することで、ダイオード容量を低減し、応答速度を向上させることができます。

ges1.png



製品 モデル


名称 モデル 価額
5mm Ge フォトダイオード   [PDF]  [RFQ]

GE-5X5-TO8
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10 mm Ge フォトダイオード   [PDF]  [RFQ]

GE-10X10-TO9
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パラメータ


特長

·  大きなアクティブエリア(10mm × 10mm)

·  PDL(偏波依存損失)


仕様

型番

GE5X5-TO8

主要特性

最大有効面積

センサ材料

Ge

応答波長

800-1800nm

有効面積

25mm2 (5mmx5mm)

立ち上がり・立下がり時間

10μs(Typ.)@1V

NEP

4.0x10-12W/Hz1/2@1550nmc

暗電流

50µA(Max)@0.3 V

接合容量

80nF(Typ.)@1V  135nF(Typ.)@0V

シャント抵抗

10kΩ(Min)

パッケージ

TO8パッケージ

スペクトル応答

フォトダイオードの感度(レスポンス)は、光に対する感受性を示す指標です。感度は、フォトダイオードによって生成される光電流 (IP) と、特定波長での入射光パワー (P) の比として定義されます。


ges2.png

言い換えれば、感度は光パワーを電流に変換する効率を示す指標です。感度は製造ロットによって変動し、入射光の波長、印加逆バイアス、および動作温度によっても影響を受けます。逆バイアスを印加すると、フォトダイオードの電荷収集効率が向上するため、感度はわずかに増加します。温度変化により半導体のバンドギャップ幅が変化し、それにより感度も逆比例して変化します。


ge1.png


推奨回路

ge2.png

   

直径


ge3.png

応用 / 用途

·  パワーメーター

·  光ファイバーセンサー


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