発光波長

λR

高精度波長選択：下記吸収線より選択可能

しきい値電流

Ith

0.5

mA

光出力

Popt

0.2

0.3

0.65

mW

しきい値電圧

Vth

1.8

V

駆動電流

Iop

2

mA

Popt = 0.3 mW

レーザー電圧

Vop

2

V

Popt = 0.3 mW

光変換効率

ηWP

12

%

Popt = 0.3 mW

傾き効率

ηs

0.3

W/A

微分直列抵抗

Rs

250

Ω

Popt = 0.3 mW

3dB帯域幅

V3dB

0.1

GHz

Popt =0.3 mW

ESD保護用ダイオード内蔵

相対強度雑音

RIN

-130

-120

dB/Hz

Popt = 0.3 mW @ 1   GHz

0.6

nm/mA

0.06

nm/K

3

5

K/mW

25

dB

I  = 2 mA

10

25

°

Popt = 0.3 mW 1/e² 全幅

100

MHz

Popt = 0.3 mW

TEC電流

mA

-150(Heating)

+300(Cooling)

適切な放熱器（ヒートシンク）必要

NTC熱抵抗

KΩ

9.5

10

10.5

T=25℃@10 KΩ

NTC熱抵抗

KΩ

10/exp{3892-(1/289K-I/TOP)}

代表発光波長（チップ裏面温度=20℃、動作電流=2 mA時）

最終波長（TECおよび電流により調整）

760 nm 吸収線

最小値

最大値

Aグレード

759.8

760.8

760.3

761.3

cグレード

759.0

760.1

760.1

761.3

Aグレード

762.5

763.5

763.0

764.0

cグレード

761.9

764.9

763.0

764.8

 保管温度

  ℃

-40

25

125

 チップ温度

℃

+10

25

40

 動作電流

mA

0

2

3

 順方向電圧

V

0.8

1.2

1.8

  TEC電流

mA

-150

-

+300

 はんだ付け温度*

℃

100

130

270

電力消費

mw

-

-

5