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  • Φ300 µm PD300 InGaAsフォトダイオードチップ

    • Φ300 µm PD300 InGaAsフォトダイオードチップ     


    InGaAs photodiodes offer superb response from 900nm to 1700nm, perfect for telecom and near IR detection. The 75 and 120 micron photodiodes are offered in isolated TO-46 packages with a lensed cap for single mode and multi-mode fiber coupling or Bare chips. These two sizes are also available with actively aligned FC receptacles. The 70 micron photodiode is perfect for high bandwidth applications while the 120 micron photodiode is perfect for active alignment applications. The 3mm photodiode is isolated in a TO-5 package with a broadband double sided AR-coated window. With the high shunt resistance, the 3mm photodiode is suitable for high sensitivity to weak signal applications.



    製品 モデル


    ネーム モデル 価額
    PD300 InGaAs フォトダイオードチップ   [PDF]  [RFQ]

    PD300
    Stock NO.: I80030008     		[お問い合わせください]
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    パラメータ


    特長

    ● Response Range From 1000nm to 1680nm

    ● High Responsivity, front side illuminated，double-side pads

    ● Φ=300μm, round optical window 

    電気・光学特性（E/O特性）

    The Opto-electronic Characteristics（@Tc=22±3℃）

    Parameters

    Sym.

    Test conditions

    Min

    Typ

    Max

    Unit

    Response Spectrum

    λ

    -

    1000～1680

    nm

    Active Diameter

    $

    -

    300

    μm

    Reponsivity

    Re

    λ=1.31μm,   VR=5V, φe=100μW

    0.9

    -

    -

    A/W

    Forward Voltage

    VF

    IF=1mA

    -

    0.6

    0.7

    V

    Reverse Breakdown Voltage

    VBR

    ID=10μA, φe=0

    35

    40

    -

    V

    Dark Current

    ID

    VR=5V, φe=0

    -

    0.2

    0.8

    nA

    Capacitance

    CPD

    VR=5V, φe=0,   f=1MHz

    -

    5

    8

    pF

    Rising Time/Falling Time

    Tr/Tf

    VR=5V, φe=1mW

    -

    0.5

    1

    ns

    DC Saturation Power

    Sat

    VR=0V

    1.0

    2.5

    -

    mW

    VR=5V

    6.0

    14.0

    -

    外形図およびダイ寸法

    ttt.png

    Die Size

    500μm×500μm

    Die Thickess

    175±10μm

    Bond Pad Diameter

    75μm

    Photosensitive Diameter

    300μm

    Extend Electrode Length

    30μm

    P metal

    Au

    N metal

    Au

    Note: The structure of PIN PD is planar and front illuminated with P electrode on the top and N electrode on the bottom.


    Absolute Maximum Rating

    Parameter

    Symbol

    Rating

    Unit

    Operating temperature

    TC

    -40～+85

    ℃

    Storage temperature

    TSTG

    -50～+125

    ℃

    Forward Current

    IF

    10

    mA

    Reverse Current

    IR

    10

    mA

    ESD susceptibility

    ≥300

    V

    Matters needing attention:

    a. Take appropriate ESD protections to avoid damage.

    b. InP chips are fragile and easily damaged, so special caution should be used when handling. 

    c. Do not handle with tweezers. A vacuum tip with a flat surface is recommended. Bonding force and temperature should be applied in a gradual fashion.

    応用 / 用途

    ● Fiber communication

    ● Fiber sensor



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    10年以上の実績
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