Φ300 µm PD300 InGaAsフォトダイオードチップ     


InGaAs フォトダイオードは 900nm~1700nm の範囲で優れた感度を持ち、テレコム用途や近赤外検出に最適です。
75µm および 120µm のフォトダイオードは、シングルモード/マルチモードファイバー結合用の レンズキャップ付き絶縁 TO-46 パッケージ、または ベアチップとして提供されます。これらのサイズは、アクティブアライメント済みの FC レセプタクル付きバージョンもあります。
75µm フォトダイオードは高速帯域用途に適し、120µm フォトダイオードはアクティブアライメント用途に最適です。3mm フォトダイオードは、広帯域両面 AR コートウィンドウ付き TO-5 パッケージに絶縁された構造です。高いシャント抵抗を持つため、微弱信号の高感度検出に適しています。




製品 モデル


名称 モデル 価額
PD300 InGaAs フォトダイオードチップ   [PDF]  [RFQ]

PD300
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パラメータ


特長

·  応答波長範囲:1000 nm ~ 1680 nm

·  高受光感度、前面入射型、両面パッド構造

·  φ300 μm 円形光学ウィンドウ


電気・光学特性(E/O特性)

電気/光学特性(Tsub = 25°C、特に記載のない限り CW バイアスにて測定

パラメータ

記号

テスト条件

最小値

典型値

最大値

単位

感度スペクトル

λ

-

1000~1680

有効直径

$

-

300

mm

感度

Re

λ=1.31μm,   VR=5V, φe=100μW

0.9

-

-

A/W

正方向電圧

VF

IF=1mA

-

0.6

0.7

逆バイアス耐圧

VBR

ID=10μA, φe=0

35

40

-

暗電流

ID

VR=5V, φe=0

-

0.2

0.8

nA

静電容量

CPD

VR=5V, φe=0,   f=1MHz

-

5

8

pF

立ち上がり/下がり時間

Tr/Tf

VR=5V, φe=1mW

-

0.5

1

ns

直流飽和出力

Sat

VR=0V

1

2.5

-

mW

VR=5V

6

14

-


外形図およびダイ寸法

ttt.png

  チップサイズ

500μm×500μm

  チップ厚さ

175±10μm

 ボンディングパッド直径

75μm

  感光領域直径

300μm

  引出し電極長さ

30μm

  P 電極(金属)

Au

  N 電極(金属)

Au

注記:本 PIN PD は、プラナー構造の前面入射型であり、上部に P 電極、下部に N 電極を有します。


 

 パラメータ

記号

定格

単位

 動作温度

TC

-40+85

  保存温度

TSTG

-50+125

 順方向電流

IF

10

mA

  逆方向電流

IR

10

mA

 ESD 感受性

≥300

V

注意事項:

a. ESD(静電気放電)による損傷を避けるため、適切な静電対策を行ってください。

b. InP チップは脆く、損傷しやすいため、取り扱いには十分注意してください。

c. ピンセットでの取り扱いは避けてください。平面の真空チップを使用することを推奨します。ボンディング時の圧力や温度は徐々に加えるようにしてください。


応用 / 用途

·  光ファイバー通信

·  光ファイバーセンサー


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