InGaAs フォトダイオードは 900nm~1700nm の範囲で優れた感度を持ち、テレコム用途や近赤外検出に最適です。
75µm および 120µm のフォトダイオードは、シングルモード/マルチモードファイバー結合用の レンズキャップ付き絶縁 TO-46 パッケージ、または ベアチップとして提供されます。これらのサイズは、アクティブアライメント済みの FC レセプタクル付きバージョンもあります。
75µm フォトダイオードは高速帯域用途に適し、120µm フォトダイオードはアクティブアライメント用途に最適です。3mm フォトダイオードは、広帯域両面 AR コートウィンドウ付き TO-5 パッケージに絶縁された構造です。高いシャント抵抗を持つため、微弱信号の高感度検出に適しています。
| 名称 | モデル | 説明 | パラメータ | 価額 |
|---|
· 応答波長範囲:1000 nm ~ 1680 nm
· 高受光感度、前面入射型、両面パッド構造
· φ300 μm 円形光学ウィンドウ
電気/光学特性(Tsub = 25°C、特に記載のない限り CW バイアスにて測定
パラメータ | 記号 | テスト条件 | 最小値 | 典型値 | 最大値 | 単位 | ||
感度スペクトル | λ | - | 1000~1680 | ㎚ | ||||
有効直径 | $ | - | 300 | mm | ||||
感度 | Re | λ=1.31μm, VR=5V, φe=100μW | 0.9 | - | - | A/W | ||
正方向電圧 | VF | IF=1mA | - | 0.6 | 0.7 | Ⅴ | ||
逆バイアス耐圧 | VBR | ID=10μA, φe=0 | 35 | 40 | - | Ⅴ | ||
暗電流 | ID | VR=5V, φe=0 | - | 0.2 | 0.8 | nA | ||
静電容量 | CPD | VR=5V, φe=0, f=1MHz | - | 5 | 8 | pF | ||
立ち上がり/下がり時間 | Tr/Tf | VR=5V, φe=1mW | - | 0.5 | 1 | ns | ||
直流飽和出力 | Sat | VR=0V | 1 | 2.5 | - | mW | ||
VR=5V | 6 | 14 | - | |||||

チップサイズ | 500μm×500μm |
チップ厚さ | 175±10μm |
ボンディングパッド直径 | 75μm |
感光領域直径 | 300μm |
引出し電極長さ | 30μm |
P 電極(金属) | Au |
N 電極(金属) | Au |
注記:本 PIN PD は、プラナー構造の前面入射型であり、上部に P 電極、下部に N 電極を有します。
パラメータ | 記号 | 定格 | 単位 |
動作温度 | TC | -40~+85 | ℃ |
保存温度 | TSTG | -50~+125 | ℃ |
順方向電流 | IF | 10 | mA |
逆方向電流 | IR | 10 | mA |
ESD 感受性 | ≥300 | V | |
注意事項:
a. ESD(静電気放電)による損傷を避けるため、適切な静電対策を行ってください。
b. InP チップは脆く、損傷しやすいため、取り扱いには十分注意してください。
c. ピンセットでの取り扱いは避けてください。平面の真空チップを使用することを推奨します。ボンディング時の圧力や温度は徐々に加えるようにしてください。
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