波長範囲

2~11um

2~5.3um

最大感度波長

5.6um

4.1um

応答時定数

3ns

100ns

D*（検出感度指標）

7.0X107cm·Hz1/2/W

1.0X109cm·Hz1/2/W

信号振幅

Hi-Z   load: 0~10V             50Ω load: 0~5V

ゲイン調整方法

ロータリーギア調整式、0～70 dB、1 ギアあたり 10 dB、合計 8 ギア

帯域幅はゲインに反比例

NEP（等価雑音光パワー）

1.4X10-9W/√ Hz                               2.0X10-10W/√   Hz

光電面サイズ

1mm   X 1mm

2mm   X 2mm

光電面深さ

0.13"   (3.3 mm)

検出器質量

0.10kg

動作温度

10～40℃

保存温度

-20～70℃

外観サイズ

2.79"   X 2.07" X 0.89" (70.9 mm X 52.5 mm X 22.5 mm)

電源インターフェース

電源スイッチh

信号インターフェース

バッテリーモニタリング

ストラットインターフェース

光学インターフェース

LUMBERG RSMV3 メスコネクタ

スライドスイッチ

BNC メスコネクタ

一時押しボタン

M4 X 2

SM1 X 1

SM0.5 X 1

ゲイン (Hi-Z)

1.51×10³ V/A

ゲイン (Hi-Z)

4.75×10³ V/A

ゲイン (Hi-Z)

1.5 ×10⁴V/A

ゲイン (Hi-Z)

4.75×10⁴ V/A

ゲイン (50Ω)

0.75×10³ V/A

ゲイン (50Ω)

2.38×10³ V/A

ゲイン (50Ω)

0.75×10⁴V/A

ゲイン (50Ω)

2.38×10⁴ V/A

帯域幅 (BW)

13MHz

帯域幅(BW)

1.7MHz

帯域幅(BW)

1.1MHz

帯域幅 (BW)

300kHz

ノイズ (RMS)

≤250uV

ノイズ (RMS)

≤250uV

ノイズ (RMS)

≤250uV

ノイズ (RMS)

≤250uV

40dB

50dB

60dB

70dB

ゲイン (Hi-Z)

1.51× 10⁵ V/A

ゲイン (Hi-Z)

4.75×10⁵ V/A

ゲイン (Hi-Z)

1.5×10⁶V/A

ゲイン (Hi-Z)

4.75×10⁶ V/A

ゲイン (50Ω)

0.75× 10⁵ V/A

ゲイン (50Ω)

2.38×10⁵ V/A

ゲイン (50Ω)

0.75×10⁶V/A

ゲイン (50Ω)

2.38×10⁶ V/A

帯域幅 (BW)

90kHz

帯域幅 (BW)

28kHz

帯域幅 (BW)

9kHz

帯域幅 (BW)

3kHz

ノイズ (RMS)

≤250uV

ノイズ (RMS)

≤250uV

ノイズ (RMS)

≤300uV

ノイズ (RMS)

≤400uV

信号バイアス

±8mV(Typ.), ±12mV(Max)

InAsSb-2/11um-1X1-AG8

2~11um

1mm X1mm

0～70 dB

8 段階定量調整可能なゲイン

5.6um

超広帯域赤外測定

InAsSb-2/5um-2X2-AG8

2~5um

2mm X2mm

4.1um

大型ターゲット面