Φ1 mm PD1000 InGaAsフォトダイオードチップ     


LD-PDのInGaAs PIN構造は、MOCVD法と平面拡散技術に基づいてInP基板上に製造されています:LD-PDのInGaAsフォトダイオードチップは、MOCVD(有機金属化学蒸着法)法を使用してInP(インジウムリン)基板上に製造されています。この高度な製造技術により、高品質で一貫した性能が確保されます。TOフォトダイオードシリーズ製品の感度エリアは、φ75µm、φ300µm、φ500µm、φ1mm、φ2mm、φ3mmのサイズがあります。ユーザーの要求に応じて、カスタムサイズ、形状、またはパッケージスタイルでの提供も可能です。




製品 モデル


名称 モデル 価額
PD1000 InGaAsフォトダイオードチップ   [PDF]  [RFQ]

PD1000
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パラメータ


特長

·高受光感度、前面入射型、両面パッド構造

·φ1 mm 円形光学ウィンドウ

·メタン(CH₄)検出用(1654 nm)に最適化設計低温環境下での受光感度を向上


電気・光学特性(E/O特性)

オプトエレクトロニクス特性(@Tc=22±3℃)

パラメータ

テスト条件

最小値

典型値

最大値

単位

応答特性1

λ=1310nm

0.9

0.95

-

A/W

応答特性2

λ=1550nm

0.95

1

-

A/W

暗電流

V=-5V

-

0.8

3

nA

ブレークダウン電圧

I=-10µA

40

-

-

V

静電容量

V=-5V,f=1MHz

-

45

65

pF

正方向電圧

I=1mA

-

0.43

0.7

V

 

1に示すように @ Vr=0V、TC=22±3℃

t1.png


t2.png


応答性、R (A/W)


HBSABS.jpg

外形図およびダイ寸法

図1に示すように

t3.png

図1


パラメータ

最小値

典型値

最大値

単位

備考

チップ幅

1140

1150

1160

µm


チップ長

1140

1150

1160

µm


検出ウィンドウ

1000

µm


厚さ

190

200

210

µm


ボンディングパッド直径

150

µm

For p-pad

 注記:本 PIN PD は、プラナー構造の前面入射型であり、上部に P 電極、下部に N 電極を有しています。

 

絶対最大定格

パラメータ

定格

静電気放電(HBM)

1200V

  逆方向電流

-10mA

  順方向電流

10mA

 逆方向電圧

-20V

 動作温度

-40 to 85 ⁰C

保存温度

-40 to 125 ⁰C

注意:
取り扱いには十分ご注意ください。InP は脆性材料であり、ESD(静電気放電)にさらされると、デバイスが恒久的に損傷する可能性があります。本仕様は、予告なく変更される場合があります。

応用 / 用途

·  光ファイバー通信

·  光ファイバーセンサー


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