LD-PDのInGaAs PIN構造は、MOCVD法と平面拡散技術に基づいてInP基板上に製造されています:LD-PDのInGaAsフォトダイオードチップは、MOCVD(有機金属化学蒸着法)法を使用してInP(インジウムリン)基板上に製造されています。この高度な製造技術により、高品質で一貫した性能が確保されます。TOフォトダイオードシリーズ製品の感度エリアは、φ75µm、φ300µm、φ500µm、φ1mm、φ2mm、φ3mmのサイズがあります。ユーザーの要求に応じて、カスタムサイズ、形状、またはパッケージスタイルでの提供も可能です。
| 名称 | モデル | 説明 | パラメータ | 価額 |
|---|
·高受光感度、前面入射型、両面パッド構造
·φ1 mm 円形光学ウィンドウ
·メタン(CH₄)検出用(1654 nm)に最適化設計、低温環境下での受光感度を向上
オプトエレクトロニクス特性(@Tc=22±3℃)
パラメータ | テスト条件 | 最小値 | 典型値 | 最大値 | 単位 |
応答特性1 | λ=1310nm | 0.9 | 0.95 | - | A/W |
応答特性2 | λ=1550nm | 0.95 | 1 | - | A/W |
暗電流 | V=-5V | - | 0.8 | 3 | nA |
ブレークダウン電圧 | I=-10µA | 40 | - | - | V |
静電容量 | V=-5V,f=1MHz | - | 45 | 65 | pF |
正方向電圧 | I=1mA | - | 0.43 | 0.7 | V |
図1に示すように @ Vr=0V、TC=22±3℃


応答性、R (A/W)

図1に示すように

図1
パラメータ | 最小値 | 典型値 | 最大値 | 単位 | 備考 |
チップ幅 | 1140 | 1150 | 1160 | µm | |
チップ長 | 1140 | 1150 | 1160 | µm | |
検出ウィンドウ | — | 1000 | — | µm | |
厚さ | 190 | 200 | 210 | µm | |
ボンディングパッド直径 | — | 150 | — | µm | For p-pad |
注記:本 PIN PD は、プラナー構造の前面入射型であり、上部に P 電極、下部に N 電極を有しています。
絶対最大定格
パラメータ | 定格 |
静電気放電(HBM) | >1200V |
逆方向電流 | -10mA |
順方向電流 | 10mA |
逆方向電圧 | -20V |
動作温度 | -40 to 85 ⁰C |
保存温度 | -40 to 125 ⁰C |
注意:
取り扱いには十分ご注意ください。InP は脆性材料であり、ESD(静電気放電)にさらされると、デバイスが恒久的に損傷する可能性があります。本仕様は、予告なく変更される場合があります。
· 光ファイバー通信
· 光ファイバーセンサー