Si APD フォトディテクタ

概要
特長
仕様
応用 / 用途

Si avalanche Photodetector module integrates low-noise APD detector, low-noise broadband transimpedance amplifier, ultra-low noise isolation power supply, high-voltage power supply; isolation power supply ensures that the output signal is not affected by external power supply; APD temperature compensation improves the stability of detection module. Avalanche photodetectors are characterized by high gain, high sensitivity, high bandwidth and low noise.

製品モデル

ネーム	モデル	説明	パラメータ	価額
2G Si APD フォトディテクタ [PDF] [RFQ]	APD-2G-B Stock NO.: E80040110	応答波長: 400–1100 nm、帯域幅：2G 、材料: Si、検出器感度：25A/W@850nm、光入力：FC/APC	応答波長: 400-1100nm 帯域幅: 2GHz リードタイム: 2-3 weeks	[お問い合わせください] Call us
1G Si APD フォトディテクタ [PDF] [RFQ]	APD-1G-B Stock NO.: E80040220	応答波長: 400–1100 nm、帯域幅：1G 、材料: Si、検出器感度：25A/W@850nm、光入力：FC/APC	応答波長: 400-1100nm 帯域幅: 1GHz リードタイム: 2-3 weeks	[お問い合わせください] Call us
400M Si APD フォトディテクタ [PDF] [RFQ]	APD-400M-B Stock NO.: E80040216	応答波長: 400–1100 nm、帯域幅：400M 、材料: Si、検出器感度：25A/W@850nm、光入力：FC/APC	応答波長: 400-1100nm 帯域幅: 400MHz リードタイム: 2-3 weeks	[お問い合わせください] Call us
300M Si APD フォトディテクタ [PDF] [RFQ]	APD-300M-B Stock NO.: E80040219	応答波長: 400–1100 nm、帯域幅：300M 、材料: Si、検出器感度：25A/W@850nm、光入力：FC/APC	応答波長: 400-1100nm 帯域幅: 300MHz リードタイム: 2-3 weeks	[お問い合わせください] Call us
200M Si APD フォトディテクタ [PDF] [RFQ]	APD-200M-B Stock NO.: E80040218	応答波長: 400–1100 nm、帯域幅：200M 、材料: Si、検出器感度：25A/W@850nm、光入力：FC/APC	応答波長: 400-1100nm 帯域幅: 200MHz リードタイム: 2-3 weeks	[お問い合わせください] Call us
100M Si APD フォトディテクタ [PDF] [RFQ]	APD-100M-B Stock NO.: E80043140	応答波長: 400–1100 nm、帯域幅：100M 、材料: Si、検出器感度：25A/W@850nm、光入力：FC/APC	応答波長: 400-1100nm 帯域幅: 100MHz リードタイム: 2-3 weeks	[お問い合わせください] Call us

パラメータ

特長

● Low Noise and High Gain

● Built-in high voltage power supply

● Temperature compensation

● Compact structure

● Low noise isolation power supply

仕様

Product Model	APD-100M-B	APD-200M-B	APD-300M-B	APD-400M-B	APD-1G-B	APD-2G-B	Unit
Detector	Si
Wavelength	400~1100						nm
Bandwidth	100M	200M	300M	400M	1G	2G	Hz
Detector Responsivity	25	25	25	25	25	25	A/W@850nm
Transimpedance Gain	300K	300K	300K	300K	300K	300K	V/W
Saturated Input Optical Power	13	13	13	13	13	13	uW
NEP	0.18	0.18	0.18	0.18	0.2	0.2	pW/√(Hz)
Output Impedance	50	50	50	50	50	50	Ω
Output Coupling Mode	DC/AC	DC/AC	DC/AC	DC/AC	AC	AC
Supply Voltage	5	5	5	5	12	12	V
Supply Current	0.5(max)	0.5(max)	0.5(max)	0.5(max)	0.5(max)	0.5(max)	A
Optical Input	FC/APC（or Free Space ）
Radio Frequency Output	SMA
Shape Size	655020						mm

応用 / 用途

● Optical Fiber Sensing

● Optical Fiber Communication

● Laser Ranging

● Spectrometry

Si APD フォトディテクタ

製品 モデル

パラメータ

関連

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