SPD6528Q InGaAs 負帰還型アバランシェフォトダイオードモジュール     


SPD6528Qは、単一光子検出感度を持ち、負帰還抵抗を内蔵したゲーマーモードInGaAsアバランシェフォトダイオード(APD)モジュールです。ゲーマーモードの高利得により、検出された光子をマクロ電流に増幅し、フィードバック抵抗がアバランシェ領域を動的に消火・復帰させます。

モジュールはNFADチップ、コンデンサ、サーミスタ、セラミックキャリア、TECをバタフライ型密封パッケージに統合し、金属化ファイバー結合を備えています。光入力は62.5 μmマルチモードファイバー(0.9 mmタイトバッファ)で、FC/UPCコネクタ付きです。




製品 モデル


名称 モデル 価額
InGaAs 負帰還型アバランシェフォトダイオードモジュール   [PDF]  [RFQ]

SPD6528Q-MM(62.5)-FC/UPC(1.0m)
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パラメータ


主要パラメータ

主な光電子特性

1.リニアモード特性

 

パラメータ

試験条件(特に指定のない場合、Tc = 25±5℃)

最小値

最大値

単位

分光応答波長範囲

950

1650

nm

逆方向ブレークダウン電圧 VBR

IR=10 μA ,Φe=0

60

85

V

感度Re

Φe=1μW,VR=(VBR-1)V, λ=1550 nm±50 nm

8


A/W

暗電流 ID

VDC =(VBR-1) V,Φe=0


1

nA

静電容量 Ctot

VDC =(VBR-1) V,f=1MHz

0.6

pF

内蔵抵抗(Re)

I=200μA,Φe=0

200±50

ブレークダウン電圧の温度係数 η

TC =-45~+30℃ , IR =10μA,φe=0

0.10

0.15

V/℃

 

ガイガーモード特性

パラメータ

試験条件TC =-40±3℃ , fp=50KHz

最小値

最大値

単位

 単一光子検出効率(PDE)

λ=1550nm

15


%

暗カウント率(DCR)

PDE=15%


10

kcps

 アフターパルス確率(APP)

PDE=15% ,λ=1550nm , Δt=1us


15

 %

パルス出力振幅 Vout

PDE=15% ,R=50 Ω

0.5


mV

 

注:λは入射光の波長、fₚは光パルス信号の周波数、Rはサンプリング抵抗を示します。

 

絶対最大定格および推奨動作条件

項目

パラメータ

定格

絶対最大定格

1

  保管温度 TSTG

-50℃+85℃


2

  動作環境温度 TC

-50℃60℃


3

  はんだ付け温度 Tsld(時間)

260℃(10s)


4

 逆方向直流バイアス電圧 VDC

VBR+5 V


5

  入力光パワー φe(連続)

1 mW


6

  順方向電流 IF(連続)

200 μA


7

  静電気感度 ESD

≥300 V


8

 ピグテール引張力

3.0 N

 

項目

パラメータ

定格

推奨動作条件

1

 APD チップ動作温度 Tth

-50℃-30℃


2

 逆方向直流バイアス電圧 VDC

VBR+1V~VBR+5V

 

典型特性カーブ


1G1.png

1 光電流および暗電流特性曲線



1G2.png

 

2 ブレークダウン電圧の温度係数


寸法およびピン定義

パッケージ外形


SPD6528.3.png

寸法

記号

最小


最大

記号

最小


最大

記号

最小


最大

H1

7.40

7.45

7.50

L2

10.00

13.50

30.00

L8

8.70

8.90

9.10

H2

1.80

2.00

2.20

L3

4.05

4.25

4.45

L9

12.50

12.70

12.90

H3

7.57

7.77

7.97

L4

3.74

3.94

4.14

L10

38.20

38.40

38.60

H4

10.50

10.70

10.90

L5

21.80

22.00

22.20

ф 1

3.00

3.50

6.60

L0

1000.0

-

-

L6

25.80

26.00

26.20

ф2

0.40

0.50

0.60

L1

17.30

17.50

17.70

L7

-

2.54

-

ф3

2.20

2.40

2.60


等価回路およびピン定義


SPD6528.4.png

ピン#

機能

ピン#

機能

1

ダイオード N (APD_N)

5

TEC-

2

ケース接地 (GND)

6

サーミスタ(R_th )

3

ダイオード (APD_P)

7

サーミスタ(R_th )

4

信号グラウンド(DGND)

8

TEC+

TEC/NTC 電気的パラメータ

NTC(サーミスタ): RT = 10 kΩ @ 25℃, β = 3450,5%。
TEC(熱電冷却器): IMAX = 0.8 A, VMAX = 11.9 V, THMAX = 200℃


注文情報

SPD6528Q-XX-XX/XXX(XXX)

XX:ファイバタイプ

SM

MM(62.5)

MM(50)

XX/XXX:ファイバコネクタ

XX: FC

SC

LC

NC

XXX:UPC

APC

(XXX):ファイバ長

1.0m

1.5m

注意事項

● 本製品は静電気に敏感なデバイスであり、保管および使用時にESD(静電気放電)保護を行う必要があります。
● 製品の光ファイバーの曲げ半径は30mm以上である必要があります。保管および使用時に光ファイバーの破損やコネクタの汚染、損傷を避けてください。
● 本製品は外部冷却が必要です。冷却用クランプキャリアは熱伝導性の良い素材で作成し、デバイスリードの一端のキャビティ壁とクランプキャリアの接触面を密着させ、両者の接触面には熱伝導性材料を塗布してください。
● 製品は清潔で通気性のある環境で、腐食性のガスがない温度-10~+40℃、湿度80%以下の場所に保管してください。


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