SPD6528Qは、単一光子検出感度を持ち、負帰還抵抗を内蔵したゲーマーモードInGaAsアバランシェフォトダイオード(APD)モジュールです。ゲーマーモードの高利得により、検出された光子をマクロ電流に増幅し、フィードバック抵抗がアバランシェ領域を動的に消火・復帰させます。
モジュールはNFADチップ、コンデンサ、サーミスタ、セラミックキャリア、TECをバタフライ型密封パッケージに統合し、金属化ファイバー結合を備えています。光入力は62.5 μmマルチモードファイバー(0.9 mmタイトバッファ)で、FC/UPCコネクタ付きです。
| 名称 | モデル | 説明 | パラメータ | 価額 |
|---|
主な光電子特性
1.リニアモード特性
パラメータ | 試験条件(特に指定のない場合、Tc = 25±5℃) | 最小値 | 最大値 | 単位 |
分光応答波長範囲 | — | 950 | 1650 | nm |
逆方向ブレークダウン電圧 VBR | IR=10 μA ,Φe=0 | 60 | 85 | V |
感度Re | Φe=1μW,VR=(VBR-1)V, λ=1550 nm±50 nm | 8 | A/W | |
暗電流 ID | VDC =(VBR-1) V,Φe=0 | 1 | nA | |
静電容量 Ctot | VDC =(VBR-1) V,f=1MHz | — | 0.6 | pF |
内蔵抵抗(Re) | I=200μA,Φe=0 | 200±50 | KΩ | |
ブレークダウン電圧の温度係数 η | TC =-45~+30℃ , IR =10μA,φe=0 | 0.10 | 0.15 | V/℃ |
ガイガーモード特性
パラメータ | 試験条件TC =-40±3℃ , fp=50KHz | 最小値 | 最大値 | 単位 |
単一光子検出効率(PDE) | λ=1550nm | 15 | % | |
暗カウント率(DCR) | PDE=15% | 10 | kcps | |
アフターパルス確率(APP) | PDE=15% ,λ=1550nm , Δt=1us | 15 | % | |
パルス出力振幅 Vout | PDE=15% ,R=50 Ω | 0.5 | mV |
注:λは入射光の波長、fₚは光パルス信号の周波数、Rはサンプリング抵抗を示します。
絶対最大定格および推奨動作条件
項目 | パラメータ | 定格 | |
絶対最大定格 | 1 | 保管温度 TSTG | -50℃~+85℃ |
2 | 動作環境温度 TC | -50℃~60℃ | |
3 | はんだ付け温度 Tsld(時間) | 260℃(10s) | |
4 | 逆方向直流バイアス電圧 VDC | VBR+5 V | |
5 | 入力光パワー φe(連続) | 1 mW | |
6 | 順方向電流 IF(連続) | 200 μA | |
7 | 静電気感度 ESD | ≥300 V | |
8 | ピグテール引張力 | 3.0 N | |
項目 | パラメータ | 定格 | |
推奨動作条件 | 1 | APD チップ動作温度 Tth | -50℃~-30℃ |
2 | 逆方向直流バイアス電圧 VDC | VBR+1V~VBR+5V | |
典型特性カーブ

図1 光電流および暗電流特性曲線

図2 ブレークダウン電圧の温度係数
パッケージ外形

寸法
記号 | 最小 | 最大 | 記号 | 最小 | 最大 | 記号 | 最小 | 最大 | |||
H1 | 7.40 | 7.45 | 7.50 | L2 | 10.00 | 13.50 | 30.00 | L8 | 8.70 | 8.90 | 9.10 |
H2 | 1.80 | 2.00 | 2.20 | L3 | 4.05 | 4.25 | 4.45 | L9 | 12.50 | 12.70 | 12.90 |
H3 | 7.57 | 7.77 | 7.97 | L4 | 3.74 | 3.94 | 4.14 | L10 | 38.20 | 38.40 | 38.60 |
H4 | 10.50 | 10.70 | 10.90 | L5 | 21.80 | 22.00 | 22.20 | ф 1 | 3.00 | 3.50 | 6.60 |
L0 | 1000.0 | - | - | L6 | 25.80 | 26.00 | 26.20 | ф2 | 0.40 | 0.50 | 0.60 |
L1 | 17.30 | 17.50 | 17.70 | L7 | - | 2.54 | - | ф3 | 2.20 | 2.40 | 2.60 |
等価回路およびピン定義

ピン# | 機能 | ピン# | 機能 |
1 | ダイオード N (APD_N) | 5 | TEC- |
2 | ケース接地 (GND) | 6 | サーミスタ(R_th ) |
3 | ダイオード (APD_P) | 7 | サーミスタ(R_th ) |
4 | 信号グラウンド(DGND) | 8 | TEC+ |
TEC/NTC 電気的パラメータ
NTC(サーミスタ): RT = 10 kΩ @ 25℃, β = 3450,5%。
TEC(熱電冷却器): IMAX = 0.8 A, VMAX = 11.9 V, THMAX = 200℃
SPD6528Q-XX-XX/XXX(XXX)
XX:ファイバタイプ
SM
MM(62.5)
MM(50)
XX/XXX:ファイバコネクタ
XX: FC
SC
LC
NC
XXX:UPC
APC
(XXX):ファイバ長
1.0m
1.5m
注意事項
● 本製品は静電気に敏感なデバイスであり、保管および使用時にESD(静電気放電)保護を行う必要があります。
● 製品の光ファイバーの曲げ半径は30mm以上である必要があります。保管および使用時に光ファイバーの破損やコネクタの汚染、損傷を避けてください。
● 本製品は外部冷却が必要です。冷却用クランプキャリアは熱伝導性の良い素材で作成し、デバイスリードの一端のキャビティ壁とクランプキャリアの接触面を密着させ、両者の接触面には熱伝導性材料を塗布してください。
● 製品は清潔で通気性のある環境で、腐食性のガスがない温度-10~+40℃、湿度80%以下の場所に保管してください。