InGaAs 超低ノイズフォトディテクタ

概要
特長
仕様
応用 / 用途

超低雑音フォトディテクタモジュールは、超低雑音アナログPIN検出器、低雑音広帯域トランスインピーダンスアンプ、超低雑音絶縁電源を統合しており、出力信号は外部電源の影響を受けません。本モジュールは特にバックグラウンドノイズが小さい点で優れており、同条件下で従来モジュールの約3分の1のバックグラウンドノイズを実現しています。そのため、より小さい信号の検出や高い信号対雑音比（SNR）が要求される用途に最適です。

製品モデル

名称	モデル	説明	パラメータ	価額
5G InGaAs 超低雑音フォトディテクタ [PDF] [RFQ]	UPD-5G-A	応答波長: 800–1700 nm、帯域幅：5G、材料: InGaAs、検出器感度: 0.95 A/W @ 1550 nm、 FC/APC	応答波長: 800-1700nm 帯域幅: 5GHz リードタイム: 約2～3週間	[お問い合わせください] Call us
2.5G InGaAs 超低雑音フォトディテクタ [PDF] [RFQ]	UPD-2.5G-A	応答波長: 800–1700 nm、帯域幅：2.5G、材料: InGaAs、検出器感度: 0.95 A/W @ 1550 nm、 FC/APC	応答波長: 800-1700nm 帯域幅: 2.5GHz リードタイム: 約2～3週間	[お問い合わせください] Call us
2G InGaAs 超低雑音フォトディテクタ [PDF] [RFQ]	UPD-2G-A	応答波長: 800–1700 nm、帯域幅：2G、材料: InGaAs、検出器感度: 0.95 A/W @ 1550 nm、 FC/APC	応答波長: 800-1700nm 帯域幅: 2GHz リードタイム: 約2～3週間	[お問い合わせください] Call us
1.5G InGaAs 超低雑音フォトディテクタ [PDF] [RFQ]	UPD-1.5G-A	応答波長: 800–1700 nm、帯域幅：1.5G、材料: InGaAs、検出器感度: 0.95 A/W @ 1550 nm、 FC/APC	応答波長: 800-1700nm 帯域幅: 1.5GHz リードタイム: 約2～3週間	[お問い合わせください] Call us
1.2G InGaAs 超低雑音フォトディテクタ [PDF] [RFQ]	UPD-1.2G-A	応答波長: 800–1700 nm、帯域幅：1.2G、材料: InGaAs、検出器感度: 0.95 A/W @ 1550 nm、 FC/APC	応答波長: 800-1700nm 帯域幅: 1.2GHz リードタイム: 約2～3週間	[お問い合わせください] Call us
1G InGaAs 超低雑音フォトディテクタ [PDF] [RFQ]	UPD-1G-A	応答波長: 800–1700 nm、帯域幅：1G、材料: InGaAs、検出器感度: 0.95 A/W @ 1550 nm、 FC/APC	応答波長: 800-1700nm 帯域幅: 1GHz リードタイム: 約2～3週間	[お問い合わせください] Call us
800M InGaAs 超低雑音フォトディテクタ [PDF] [RFQ]	UPD-800M-A	応答波長: 800–1700 nm、帯域幅：500M、材料: InGaAs、検出器感度: 0.95 A/W @ 1550 nm、 FC/APC	応答波長: 800-1700nm 帯域幅: 800MHz リードタイム: 約2～3週間	[お問い合わせください] Call us
500M InGaAs 超低雑音フォトディテクタ [PDF] [RFQ]	UPD-500M-A	応答波長: 800–1700 nm、帯域幅：500M、材料: InGaAs、検出器感度: 0.95 A/W @ 1550 nm、 FC/APC	応答波長: 800-1700nm 帯域幅: 500MHz リードタイム: 約2～3週間	[お問い合わせください] Call us
400M InGaAs 超低雑音フォトディテクタ [PDF] [RFQ]	UPD-400M-A	応答波長: 800–1700 nm、帯域幅：300M、材料: InGaAs、検出器感度: 0.95 A/W @ 1550 nm、 FC/APC	応答波長: 800-1700nm 帯域幅: 400MHz リードタイム: 約2～3週間	[お問い合わせください] Call us
300M InGaAs 超低雑音フォトディテクタ [PDF] [RFQ]	UPD-300M-A	応答波長: 800–1700 nm、帯域幅：300M、材料: InGaAs、検出器感度: 0.95 A/W @ 1550 nm、 FC/APC	応答波長: 800-1700nm 帯域幅: 300MHz リードタイム: 約2～3週間	[お問い合わせください] Call us
200M InGaAs 超低雑音フォトディテクタ [PDF] [RFQ]	UPD-200M-A	応答波長: 800–1700 nm、帯域幅：200M、材料: InGaAs、検出器感度: 0.95 A/W @ 1550 nm、 FC/APC	応答波長: 800-1700nm 帯域幅: 200MHz リードタイム: 約2～3週間	[お問い合わせください] Call us
100M InGaAs 超低雑音フォトディテクタ [PDF] [RFQ]	UPD-100M-A	応答波長: 800–1700 nm、帯域幅：100M、材料: InGaAs、検出器感度: 0.95 A/W @ 1550 nm、 FC/APC	応答波長: 800-1700nm 帯域幅: 100MHz リードタイム: 約2～3週間	[お問い合わせください] Call us

パラメータ

特長

· 低ノイズ

· 高帯域幅

· 高トランスインピーダンス利得

· コンパクト構造

· 内蔵低ノイズ絶縁電源

仕様

製品モデル

UPD-100M-A

UPD-200M-A

UPD-300M-A

UPD-400M-A

UPD-500M-A

UPD-800M-A

UPD-1G-A

UPD-1.2G-A

UPD-1.5G-A

UPD-2G-A

UPD-2.5G-A

UPD-5G-A

単位

検出器

InGaAs

波長

800~1700

帯域幅

100M

200M

300M

400M

500M

800M

1.2G

1.5G

2.5G

検出器感度

0.95

A/W@1550nm

トランスインピーダンス利得

30K

20K

15K

30K

V/W

飽和入力光パワー

140

210

280

140

420

140

700

μW

等価雑音光パワー（NEP）

2.2

2.7

3.1

3.3

pW/Sqrt(Hz)

出力インピーダンス

出力結合方式

DC/AC

供給電圧

供給電流

0.5(max)

0.3

光入力

FC/APC（or Free Space ）

FC/APC

高周波出力

SMA

外形寸法

65*50*20

65*50*25

80*90*25

テスト結果

300MHz 超低雑音フォトディテクタ帯域特性曲線

UPDとPDの低周波雑音比較

応用 / 用途

· 光ファイバーセンシング

· 光ファイバー通信

· レーザー測距

· 分光測定

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